14、 利用单晶花样确定物相对遇到的困难和解决方法。仅用一幅花样确定物相对应抓住 的关键是什么？ 15、 在电子衍射花样中，是如何来表示两个晶体间的取相关系的？ 16、 什么是明场像和暗场像，并说明两者图象的特征。 17、 扫描电子显微镜性能特点和工作原理。 18、 高能电子与固体样品相互作用过程产生哪些物理信号，为什么二次电子信号特别适 用于显示表面形貌衬度。 19、 二次电子图象衬度原理。 20、 如何区分背射电子信号所获得的形貌和成分（平均原子序数）两种信息。 21、 电子探针的性能特点和工作原理。 22、 直进式线形谱仪的工作原理和工作特点。 23、 Si(Li)能谱仪工作原理和特点。 24、 波谱议和能谱仪优缺点的比较。 25、 电子探针的基本分析方法和特点。 二、习题 1.在三透镜实像成像时，由实验可获得中间镜电流和放大倍率之间关系（如图所示）。试 证明此直线是抛物线的近似。（在推导时，可视物镜倍率不变） 2.利用TLCL多晶环花样，标定相机常数K。 (1)已知环的半径 1 2 3 4 5 6 7 8 R (mm) 4.5 6.4 7.8 9.1 10.2 11.3 13.2 13.9 (2)已知TLCL为简单立方晶体(=3842)， 标准为： Hkl 100 111 200 210 211 220 211,300 标准(A) 3.84 2.72 1.92 1.72 1.67 1.36 123 (3)画出K-R曲线计算K平均。 3.(1)画出fcc结构晶体的倒易点阵，取一个单胞中N=h2+k2+12≤12的倒易点阵（要考虑 结构因子Fg): 2929 14、 利用单晶花样确定物相对遇到的困难和解决方法。仅用一幅花样确定物相对应抓住 的关键是什么？ 15、 在电子衍射花样中，是如何来表示两个晶体间的取相关系的？ 16、 什么是明场像和暗场像，并说明两者图象的特征。 17、 扫描电子显微镜性能特点和工作原理。 18、 高能电子与固体样品相互作用过程产生哪些物理信号，为什么二次电子信号特别适 用于显示表面形貌衬度。 19、 二次电子图象衬度原理。 20、 如何区分背射电子信号所获得的形貌和成分（平均原子序数）两种信息。 21、 电子探针的性能特点和工作原理。 22、 直进式线形谱仪的工作原理和工作特点。 23、 Si（Li）能谱仪工作原理和特点。 24、 波谱议和能谱仪优缺点的比较。 25、 电子探针的基本分析方法和特点。 二、 习题 1． 在三透镜实像成像时，由实验可获得中间镜电流和放大倍率之间关系（如图所示）。试 证明此直线是抛物线的近似。（在推导时，可视物镜倍率不变） 2． 利用 TLCL 多晶环花样，标定相机常数 K。 （1） 已知环的半径 1 2 3 4 5 6 7 8 R（mm） 4.5 6.4 7.8 9.1 10.2 11.3 13.2 13.9 （2） 已知 TLCL 为简单立方晶体（=3842），标准为： Hkl 100 111 200 210 211 220 211，300 标准（A） 3.84 2.72 1.92 1.72 1.67 1.36 1.23 （3） 画出 K--R 曲线计算 K 平均。 3．（1）画出 fcc 结构晶体的倒易点阵，取一个单胞中 N=h 2+k 2+l2 12 的倒易点阵（要考虑 结构因子 Fg）；