CMOS Dynamic Electrical Behavior CMOS gate 0 Very Low Quiescent Power Dissipation 3③H C- Capacitive Load,一散驶小 CTCc e00150012500240035 CMOS非门 CMOS Dynamic Power Consumption CMOS Open-Drain A ◆超频的代价 ◆。 pen-drain Output ●与非门 应用 ●驱动发光二极管(10mA电流) 驱动总线 ●普通cMOS不能直接并接 ●直接并接实现 ired Logi CMOS Open-Drain Gate CMOS三门 ◆ Open-drain Outputs直接并联 ◆CMOS三态门 ri-state gate Hi-z ●实现 Wired aND敢 Wired OR ●EN=0,Hi-Z 与非门和或非门均导通 A 55 CMOS Dynamic Electrical Behavior ‹ Power dissipation z Very Low Quiescent Power Dissipation z Dynamic Power Dissipation ` CL ——Capacitive Load，一般较小 PL=CL‚VCC2‚f ` CPD——Power Dissipation Capacitance PPD=CPD‚VCC2‚f ` 总动态功耗PD=PL+PPD +VDD TP TN CMOS非门 D S S D VI VO CMOS gateL4 ‹ CMOS门 z 输出电平VOL，VOH z 输入电平VIL，VIH CMOS Dynamic Power Consumption ‹ 超频的代价 PD=(CPD+CL)‚VCC2‚f CMOS Open-Drain Gate ‹ Open-drain Output z 与非门 z Pull-up resistor ‹ 应用 z 驱动发光二极管(10mA电流) z 驱动总线 z 普通CMOS不能直接并接 z 直接并接实现 Wired Logic VDD B Z A TN1 TN2 CMOS Open-Drain Gate ‹ Open-drain Outputs直接并联 z 实现 Wired AND 或 Wired OR F1 F2 F3 CMOS三态门 ‹ CMOS三态门(Tri-state gate) zEN=0，Hi-Z zEN=1，与非门和或非门均导通 1 EN A EN F EN A F F VDD TP A TN EN 0 1 Hi-Z