§6.1金属/半导体接触 6.12M/S接触的形成 MS结构通常是通过在干净的半导体表面淀积金属而 形成。利用金属硅化物( Silicide)技术可以优化和 减小接触电阻,有助于形成低电阻欧姆接触。 /OXIDE M POLY-Si 六:; SILICON§6.1 金属/半导体接触 6.1.2 M/S接触的形成 M/S结构通常是通过在干净的半导体表面淀积金属而 形成。利用金属硅化物（Silicide）技术可以优化和 减小接触电阻，有助于形成低电阻欧姆接触