§6.1金属半导体接触和肖特基势垒 M/S接触( Contact)为金属(M)与半导体(S)接触形成的 基本结构,通常形成肖特基势垒( Shottky barrier),其中肖特 基势垒是M/S肖特基接触的主要特征。在特定的条件下MS接 触可形成欧姆( Ohmic)型接触。 影响肖特基势垒的因素有:金属和半导体的功函数、金属感应 的镜像电荷产生的镜像势、界面的陷阱态能级及其密度等 6.1.1M/S接触的应用领域 在金属与半导体之间实现低电阻的欧姆接触,可为半导 体器件之间的连接提供的低阻互连 作为整流结(肖特基势垒)器件(肖特基二极管)使用§6.1 金属/半导体接触和肖特基势垒 6.1.1 M/S接触的应用领域 •在金属与半导体之间实现低电阻的欧姆接触，可为半导 体器件之间的连接提供的低阻互连 •作为整流结（肖特基势垒）器件（肖特基二极管）使用 M/S接触（Contact）为金属（M）与半导体（S）接触形成的 基本结构，通常形成肖特基势垒 (Shottky Barrier)，其中肖特 基势垒是M/S肖特基接触的主要特征。在特定的条件下M/S接 触可形成欧姆（Ohmic）型接触。 影响肖特基势垒的因素有：金属和半导体的功函数、金属感应 的镜像电荷产生的镜像势、界面的陷阱态能级及其密度等