图4球形VC中的夹杂(a)及其化学成份(b) Fig.4 Inclusions inside VC (a)and their chemical compositions(b) 图5球形VC的中心部位(a)和边部（化，的化学成份 Fig.5 Composition in the center area(a)and in the edge area(b) 由于在V结晶温度以上熔体中已存在大量的弥散分布的变质处理过程中生成的夹 杂物质点，使得VC在较小的过冷度下大量形核，因而VC在整个体积中分布比较均匀，尺 寸也比较小。变质处理后的合金熔体由于硫氧含量低，表面能高，因而可以认为TN及 C,O,S等夹杂质点在刚刚形核时的形状为多面体，VC在其上形核以后，仍然保持多面 体形状。由于VC形核后在液体中生长，V,C和F©原子的扩散系数较大，VC周围比较均 匀的温度场和浓度场，保证了VC球形增长的 条件。当熔液达到共晶温度时，由于熔体/VC 界面能高，VC重新形核比较困难，因而共晶 VC就在原有的VC上生长，从而形成没有片状 特征的离异共晶。 3.2VC的生长 碳化钒的最终形貌是由其生长方式和生长 条件决定的。通过对电解深腐蚀试样的观袅分 图6VC的层状扩展方式生长 析，可以认为VC是以层状方式增长的，见图 Fig.6 Growth of Vc layer 6。在较小过冷的条件下，层状扩展方式一般 spreading 41， 一 ， 图 球形 中的 夹杂 及其化学成份 选 平 图 球形 的 中心 部位 和边 部 峨叹 李 ， 的 藏、 ‘ 于级 化 卜娜华 学群成份 哪举戮 五 由于在 结 晶温 度 以上熔体 中已存 在大量 的弥 散分布的 变质处理过程 中生 成 的 夹 杂 物质 点 ， 使得 在较小 的过冷度下大量形 核 ， 因 而 在整个体积 中分 布 比较均匀 ， 尺 寸也 比较小 。 变质处 理后 的合金熔体 由于硫 氧含量低 ， 表面能高 ， 因而 可以认 为 及 等夹杂 质点在刚刚 形核时的形状为 多面体 ， 在其上形核 以后 ， 仍 然 保持 多面 体形状 。 由于 形 核后在液体 中生长 ， ， 和 原子 的扩散系数较大 ， 周 围比 较 均 图 的层状 扩展方式生 长 匀 的温度场 和浓度场 ， 保证 了 球形 增长 的 条件 。 当熔液达到共 晶温度时 ， 由于熔体 界面能高 ， 重新形核 比较困难 ， 因 而 共 晶 就 在原有 的 上生长 ， 从而形 成没有片状 特征 的离异 共 晶 。 的生长 碳 化钒 的最终形貌是 由其生长方式和生长 条 件决 定 的 。 通过对 电解深腐蚀试样的观察分 析 ， 可以认 为 是以层状方式 增长 的 ， 见 图 。 在较小 过冷 的条 件下 ， 层状 扩展 方 式一般