输入信号V1的高电平为5.5V,低电平为0.3V,试问 (1)当半导体三极管β=30时,三极管能否可靠地饱和与截止? (2)为了保证半导体三极管在输入信号为高电平时能可靠饱和,三极管的B值最小应为多 (3)为了保证半导体三极管在输入信号为低电平时能可靠截止,VBB的最低值应为多少? 4.如下图所示电路。已知G1、G2均为TIL与非门,其输出高电平VoH=36V,输出低电平 Ⅴou=0.3V,最大允许拉电流I灬M=400μA,最大允许灌电流LM=10mA:三极管工作在开关状 态,导通时VB=07V,饱和时VcEs=0.3V,β=40:发光二极管导通压降VD=2V,发光时正 向电流ID=5~10mA。试问: (1)G1、G2工作在什么状态时发光二极管可能发光? (2)三极管的集电极电阻Rc的取值范围有多大? (3)若Rc=3009,则基极电阻RB的取值范围有多大? qVc 业彡输入信号 VI的高电平为 5.5V，低电平为 0.3V，试问： （1）当半导体三极管  =30 时，三极管能否可靠地饱和与截止？ （2）为了保证半导体三极管在输入信号为高电平时能可靠饱和，三极管的  值最小应为多 少？ （3）为了保证半导体三极管在输入信号为低电平时能可靠截止，VBB的最低值应为多少？ 4．如下图所示电路。已知 G1、G2均为 TTL 与非门，其输出高电平 VOH=3.6V，输出低电平 VOL=0.3V，最大允许拉电流 IHM=400µA，最大允许灌电流 ILM=10mA；三极管工作在开关状 态，导通时 VBE=0.7V，饱和时 VCES=0.3V，  =40；发光二极管导通压降 VD=2V，发光时正 向电流 ID=5~10mA。试问： （1）G1、G2工作在什么状态时发光二极管可能发光？ （2）三极管的集电极电阻 RC的取值范围有多大？ （3）若 RC=300  ，则基极电阻 RB 的取值范围有多大？ VO VI VCC VC1 -VBB R2 R1 RC