1.2硅工艺简介 2.基本能带理论 2.1能带理论 2.2统计分布的特点 2.3本征与掺杂半导体★ 二、载流子输运（支持教学目标1） 课时：1周，共3课时 1.传统输运机制★ 1.1漂移运动 1.2扩散运动 2.产生复合机制与连续性方程 2.1几种产生复合假设 2.2连续性方程及其基本应用 三、PN结二极管 课时：1周，共3课时 1.热平衡状态下的PN结（支持教学目标1） 1.1PN结的形成与能带特点、★ 12突变PN结耗尽近似的基本方程与参数分布★ 2.直流偏压下的PN结（支持教学目标1) 2.1载流子与能带分析★ 2.2电流电压方程★ 2.3异质结 四、双极晶体管 课时：4周，共12课时 1.晶体管的工作原理（支持教学目标1） 1.1器件结构特点和工作模式（支持教学目标1） 2.1电流增益（支特教学目标2）★ 3.1非理想效应（支持教学目标3）★ 2.电路模型（支持教学目标1) 3.频率响应（支持教学目标2）★ 4.特殊结构晶体管（支持教学目标3)△ 五、MOSFET基础（支持教学目标1） 课时：2周，共6课时 1.MOS的基本结构与能带分析 1.1能带分析（支持数学目标1）★ 12阈值电压（支持教学目标2）★ 2.MOSFET的基本原理 2.1 MOSFET结构（支持教学目标1） 2.2电流电压特性（支持教学目标2)★ 2.3小信号模型△（支持教学目标2) 六、OSFET概念深入 课时：3周，共9课时1.2 硅工艺简介 2. 基本能带理论 2.1 能带理论 2.2 统计分布的特点 2.3 本征与掺杂半导体  二、载流子输运 （支持教学目标1） 课时：1周，共3课时 1. 传统输运机制  1.1 漂移运动 1.2 扩散运动 2. 产生复合机制与连续性方程 2.1 几种产生复合假设 2.2 连续性方程及其基本应用 三、PN结二极管 课时：1周，共3课时 1. 热平衡状态下的PN结（支持教学目标1） 1.1 PN结的形成与能带特点、 1.2 突变PN结耗尽近似的基本方程与参数分布  2. 直流偏压下的PN结（支持教学目标1） 2.1 载流子与能带分析  2.2 电流电压方程  2.3 异质结 四、双极晶体管 课时：4周，共12课时 1. 晶体管的工作原理 （支持教学目标1） 1.1 器件结构特点和工作模式（支持教学目标1） 2.1 电流增益（支持教学目标2） 3.1非理想效应（支持教学目标3） 2. 电路模型（支持教学目标1） 3. 频率响应（支持教学目标2） 4. 特殊结构晶体管（支持教学目标3） 五、MOSFET基础（支持教学目标1） 课时：2周，共6课时 1. MOS的基本结构与能带分析 1.1 能带分析（支持教学目标1） 1.2 阈值电压（支持教学目标2） 2. MOSFET的基本原理 2.1 MOSFET结构（支持教学目标1） 2.2 电流电压特性（支持教学目标2） 2.3 小信号模型  （支持教学目标2） 六、MOSFET概念深入 课时：3周，共9课时