第一题 PN结的特性为单向导电性 当外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流(大于:等于; 小于)。此时耗尽层变窄(变宽;不变;变窄)。 2.二极管的正向电阻小 反向电阻大(大;小)。 3.当温度升高时,BJT的β变大,反向电流变大,UBE_变小(变大;变小;不变)。 4.FET的电流由。多子组成(多子;少子;两种载流子),故称为_单极型晶体管(单极型;双极 型)。它是通过改变栅源申压 来改变漏极电流的(栅极电流:栅源电压:漏源电压)。 5.若PNP型BJT共射放大器其输出电压波形出现顶部失真,则此失真为饱和失真 (截止失 真;饱和失真:交越失真)。应增大 Rb(增大;减小),则可消除其失真。 6.放大电路高频时的放大倍数下降是因为极间和分布电容的影响,低频时放大倍数下降是因 为_耦合电容和旁路电容的影响。(耦合电容和旁路电容;晶体管的非线性;极间和分布电容) 7.当输入信号的频率为f和f时,放大倍数幅值下降为中频时的07倍(050709),或者说下降 了3dB_(3dB:0.7dB;5dB)。 8.乙类OCL电路的效率为_0785(0.5,0.785,0.9),但存在交越失真—(非线性失真;线性失真 交越失真),因此应使其工作在_甲乙类(甲类;甲乙类;丙类)。 9.若已知BJT的静态电流I及B,C,f,R1,则其gm为IN,C为_gm/2rfi 等效输入电容C为(1+gm)Cb+Chc 10.长尾差分式放大电路,R越大,则KcM越大(Ad:Ac:Kc)用恒流源代替R后,使电路Ac (Ad更大;Ad更小;Ac更大;Ac更小),理想时KcMR_无穷大(无穷大;零)。 1.Dl截止、D2导通,U=10V。 2.(1)放大状态 (2)饱和状态 (3)截止状态 3.(1)NPN硅管1为发射极,2为集电极,3为基极 (2)PNP锗管1为集电极,2为发射极,3为基极。 4.(1 P-JFET (2)N-耗尽型MOS (3)P-增强型MOS (4)P-耗尽型MOS 5.T1管改为NPN管,集电极与发射极颠倒, T2管应为N沟道 T1管集集电极电阻支路多电容第一题 1．PN 结的特性为 单向导电性 ，当外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流（大于；等于； 小于）。此时耗尽层 变窄 （变宽；不变；变窄）。 2．二极管的正向电阻 小 ，反向电阻 大 （大；小）。 3．当温度升高时，BJT 的β 变大 ，反向电流 变大 ，UBE 变小 (变大；变小；不变)。 4．FET 的电流由 多子 组成（多子；少子；两种载流子），故称为 单极型 晶体管(单极型；双极 型)。它是通过改变 栅源电压 来改变漏极电流的（栅极电流；栅源电压；漏源电压）。 5．若 PNP 型 BJT 共射放大器其输出电压波形出现顶部失真，则此失真为 饱和失真 （截止失 真；饱和失真；交越失真）。应 增大 Rb（增大；减小），则可消除其失真。 6．放大电路高频时的放大倍数下降是因为 极间和分布电容 的影响，低频时放大倍数下降是因 为 耦合电容和旁路电容 的影响。（耦合电容和旁路电容；晶体管的非线性；极间和分布电容）。 7．当输入信号的频率为 fL 和 fh 时，放大倍数幅值下降为中频时的 0.7 倍（0.5;0.7;0.9）,或者说下降 了 3dB （3dB;0.7dB;5dB）。 8．乙类 OCL 电路的效率为 0.785（0.5;0.785;0.9）,但存在 交越失真 （非线性失真；线性失真； 交越失真），因此应使其工作在 甲乙类 （甲类；甲乙类；丙类）。 9．若已知 BJT 的静态电流 IE 及β， ' bc C ，fT， ' RL ，则其 gm 为 IE/VT ， ' be C 为 gm/2πfT ， 等效输入电容 C 为 (1+gm)Cb’c +Cb’e 。 10．长尾差分式放大电路，Re越大，则 KCMR 越大（Ad；Ac；KCMR）用恒流源代替 Re后，使电路 Ac 更小 （Ad 更大； Ad 更小；Ac 更大；Ac 更小），理想时 KCMR 无穷大 （无穷大；零）。 第二题 1． D1 截止、D2 导通，U=10V。 2． （1） 放大状态 （2） 饱和状态 （3） 截止状态 3．（1）NPN 硅管 1 为发射极，2 为集电极，3 为基极 （2）PNP 锗管 1 为集电极，2 为发射极，3 为基极。 4．（1） P-JFET (2) N-耗尽型 MOS (3) P-增强型 MOS (4) P-耗尽型 MOS 5. T1 管改为 NPN 管，集电极与发射极颠倒，； T2 管应为 N 沟道； T1 管集集电极电阻支路多电容；