第一题 PN结的特性为单向导电性 当外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流(大于:等于; 小于)。此时耗尽层变窄(变宽;不变;变窄)。 2.二极管的正向电阻小 反向电阻大(大;小)。 3.当温度升高时,BJT的β变大,反向电流变大,UBE_变小(变大;变小;不变)。 4.FET的电流由。多子组成(多子;少子;两种载流子),故称为_单极型晶体管(单极型;双极 型)。它是通过改变栅源申压 来改变漏极电流的(栅极电流:栅源电压:漏源电压)。 5.若PNP型BJT共射放大器其输出电压波形出现顶部失真,则此失真为饱和失真 (截止失 真;饱和失真:交越失真)。应增大 Rb(增大;减小),则可消除其失真。 6.放大电路高频时的放大倍数下降是因为极间和分布电容的影响,低频时放大倍数下降是因 为_耦合电容和旁路电容的影响。(耦合电容和旁路电容;晶体管的非线性;极间和分布电容) 7.当输入信号的频率为f和f时,放大倍数幅值下降为中频时的07倍(050709),或者说下降 了3dB_(3dB:0.7dB;5dB)。 8.乙类OCL电路的效率为_0785(0.5,0.785,0.9),但存在交越失真—(非线性失真;线性失真 交越失真),因此应使其工作在_甲乙类(甲类;甲乙类;丙类)。 9.若已知BJT的静态电流I及B,C,f,R1,则其gm为IN,C为_gm/2rfi 等效输入电容C为(1+gm)Cb+Chc 10.长尾差分式放大电路,R越大,则KcM越大(Ad:Ac:Kc)用恒流源代替R后,使电路Ac (Ad更大;Ad更小;Ac更大;Ac更小),理想时KcMR_无穷大(无穷大;零)。 1.Dl截止、D2导通,U=10V。 2.(1)放大状态 (2)饱和状态 (3)截止状态 3.(1)NPN硅管1为发射极,2为集电极,3为基极 (2)PNP锗管1为集电极,2为发射极,3为基极。 4.(1 P-JFET (2)N-耗尽型MOS (3)P-增强型MOS (4)P-耗尽型MOS 5.T1管改为NPN管,集电极与发射极颠倒, T2管应为N沟道 T1管集集电极电阻支路多电容
第一题 1．PN 结的特性为 单向导电性 ，当外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流（大于；等于； 小于）。此时耗尽层 变窄 （变宽；不变；变窄）。 2．二极管的正向电阻 小 ，反向电阻 大 （大；小）。 3．当温度升高时，BJT 的β 变大 ，反向电流 变大 ，UBE 变小 (变大；变小；不变)。 4．FET 的电流由 多子 组成（多子；少子；两种载流子），故称为 单极型 晶体管(单极型；双极 型)。它是通过改变 栅源电压 来改变漏极电流的（栅极电流；栅源电压；漏源电压）。 5．若 PNP 型 BJT 共射放大器其输出电压波形出现顶部失真，则此失真为 饱和失真 （截止失 真；饱和失真；交越失真）。应 增大 Rb（增大；减小），则可消除其失真。 6．放大电路高频时的放大倍数下降是因为 极间和分布电容 的影响，低频时放大倍数下降是因 为 耦合电容和旁路电容 的影响。（耦合电容和旁路电容；晶体管的非线性；极间和分布电容）。 7．当输入信号的频率为 fL 和 fh 时，放大倍数幅值下降为中频时的 0.7 倍（0.5;0.7;0.9）,或者说下降 了 3dB （3dB;0.7dB;5dB）。 8．乙类 OCL 电路的效率为 0.785（0.5;0.785;0.9）,但存在 交越失真 （非线性失真；线性失真； 交越失真），因此应使其工作在 甲乙类 （甲类；甲乙类；丙类）。 9．若已知 BJT 的静态电流 IE 及β， ' bc C ，fT， ' RL ，则其 gm 为 IE/VT ， ' be C 为 gm/2πfT ， 等效输入电容 C 为 (1+gm)Cb’c +Cb’e 。 10．长尾差分式放大电路，Re越大，则 KCMR 越大（Ad；Ac；KCMR）用恒流源代替 Re后，使电路 Ac 更小 （Ad 更大； Ad 更小；Ac 更大；Ac 更小），理想时 KCMR 无穷大 （无穷大；零）。 第二题 1． D1 截止、D2 导通，U=10V。 2． （1） 放大状态 （2） 饱和状态 （3） 截止状态 3．（1）NPN 硅管 1 为发射极，2 为集电极，3 为基极 （2）PNP 锗管 1 为集电极，2 为发射极，3 为基极。 4．（1） P-JFET (2) N-耗尽型 MOS (3) P-增强型 MOS (4) P-耗尽型 MOS 5. T1 管改为 NPN 管，集电极与发射极颠倒，； T2 管应为 N 沟道； T1 管集集电极电阻支路多电容；
T2管源极缺少电阻。 第三题 1.T1为共发射极组态、T2为共基极组态、T3为共集电极组态 2. VBl=VCC =3.43 R1+R2+R3 R2+R V82=vcc R1+R2+R3 lc VE3=1.384mA R VEI=VBI-VBE= 2. 73v VE2= VCI=VB2-VBE= 7.87V rbel=200+(1+B 3.085k IE ICI=Ic2= Rs=0.91mA rbe2=200+(1+B)=3.085k c2=B3=ICc-lc2R4=14.54 VCEI=VCI-VEI=5.141 rbe=200+(1+B),=2078k cn=2-lE2=667 JE3=IB3-BE=13.84 Bi b2 R 4 R2TR3 R Ri2 1+B Ri3=I'be3+(1+B)R6//RL=500k Avi= A2=BR∥R2=20 A2=_(+D)R6R rhe3+(1+B)R6∥RL Av= AvlAv2 Av3=-200 R=R2∥R3∥rbel=1.6k R4 ∥/R6=809 第四题
T2 管源极缺少电阻。 第三题 1． T1 为共发射极组态、T2 为共基极组态、T3 为共集电极组态。 2． V R R R R VB VCC 3.43 1 2 3 3 1 = + + = V R R R R R VB VCC 8.57 1 2 3 2 3 2 = + + + = VE1 =VB1−VBE = 2.73V VE2 =VC1 =VB2 −VBE = 7.87V mA R V I I E C C 0.91 5 1 1 = 2 = = VC2 =VB3 =VCC − IC2R4 =14.54V VCE1 =VC1−VE1 = 5.14V VCE2 =VC2 −VE2 = 6.67V VE3 =VB3 −VBE =13.84V 3． k r R be i 0.03 1 2 2 = + = Ri3 = rbe3 + (1+ )R6 // RL = 500k 1 1 2 1 = − = − be i V r R A 200 // 2 4 3 2 = = be i V r R R A 1 (1 ) 6 // (1 ) 6 // 3 3 = + + + = r R RL R RL A be V AV = AV1AV 2AV3 = −200 Ri = R2 // R3 //rbe1 =1.6k = + + = // 80 1 6 3 4 R r R R be O 第四题 mA R V I E C 1.384 6 3 3 = = k I V r E T be 200 (1 ) 3.085 1 1 = + + = k I V r E T be 200 (1 ) 3.085 2 2 = + + = k I V r E T be 200 (1 ) 2.078 1 1 = + + = R6 R2 R3 rbe2 R4 Vi be3 r be1 r b3 i b3 i b1 i b1 i Ri Ri2 Ro b2 i b2 i Ri3 VO R RL 6 R2 R3 rbe2 R4 Vi be3 r be1 r b3 i b3 i b1 i b1 i Ri Ri2 Ro b2 i b2 i Ri3 VO RL
R VGl=Vac R1+R2 Vsi ID= ls =0.2mA R4+r Vos= vd-vs= 15.8) VGs=VG-Vs=2. 8V R R VB2=VCc 51 RTR R7+R8 iR2 R R R R+R:=5 E2=VB2-BE=4.3 R h2=l2=-12 10mA R10+R1 Vc2=VcC-Ic2 Ro= 12 5V VCE2= VC2-VE2=8.2) 2.Pbe2=200+(1+B)=460 BR9∥RL 6.25 (1+B)R R2=R∥R8∥(rbe2+(l+B)R0)=43k A=An4v2=9.375 8mR6∥R2 R=R3+R1∥R2=2075M A 15 1+gmR Ro=R9=750g (Ro+ Rl)C 2.72k 第五题 1.T1、T2、T、T4组成准互补推挽功率放大电路; Ts组成共发射极电路,提供电压增益 D1、D2为功放管提供静态偏流,使功率放大器工作在甲乙类,减小交越失真 R4、C2组成自举电路,以保证输出电压幅度。 2.A点应调整到cc/2,可调整R1 3.Pam=1(ac/2-s)2=3 RL 丌Ic/2-IcEs 0.55 4.PcM≥0.2Pom=0.6W lcM≥ =1.25A RL BRICEO≥Vcc=l01 第六题 0-(-VE) 1.5mA R
1． V R R R VG VCC 5 1 2 2 1 = + = mA R R V I I S D S 0.2 4 5 1 = + = = VD1 =VCC − IDR6 =18V VDS =VD −VS =15.8V VGS =VG −VS = 2.8V V R R R VB VCC 5 7 8 8 2 = + = V R R R VB VCC 5 3 4 4 2 = + = VE2 =VB2 −VBE = 4.3V mA R R V I I E C E 10 10 11 2 2 2 = + = = VC2 =VCC − IC2R9 =12.5V VCE2 =VC2 −VE2 = 8.2V 2． = 200 + (1+ ) = 460 2 2 E T be I V r Ri2 = R7 // R8 //(rbe2 + (1+ )R10) = 4.3k 1.5 1 // 4 6 2 1 = − + = − g R g R R A m m i V 3． = (RO + RL)C3 fl 2.72k 2 1 = = 第五题 1． T1、T2、T3、T4 组成准互补推挽功率放大电路； T5 组成共发射极电路，提供电压增益； D1、D2 为功放管提供静态偏流，使功率放大器工作在甲乙类，减小交越失真； R4、C2 组成自举电路，以保证输出电压幅度。 2． A 点应调整到 VCC/2，可调整 R1。 3． ( ) W R V V P L CC CES om 3 / 2 2 1 2 = − = 0.55 / 2 / 2 4 = − = CC CC CES V V V 4． PCM 0.2Pom = 0.6W A R V I L CC CM 1.25 / 2 = V(BR)CEO VCC =10V 第六题 1． mA R V I EE C 1.5 0 ( ) 8 5 = − − = R2 R7 R8 R9 RL R1 Vi be2 r gmVGS b2 i b2 i VO Ri Ri2 Ro VGS R10 R3 R4 R6 R2 R7 R8 R9 RL R1 Vi be2 r gmVGS b2 i b2 i VO Ri Ri2 Ro VGS R10 R3 R4 R6 6.25 (1 ) // 2 10 9 2 = − + + − = r R R R A be L V AV = AV1AV 2 = 9.375 Ri = R3 + R1 // R2 = 2.075M RO = R9 = 750
VBS=VC4= VBE=0.7v Ic4= c4-(-EE) =1.57mA E4=VCC-Ic4 r6=8.88v VB4=VCI=VE4-VBE=8.18V 0.68mA RI l=2l1=1.36mA lors=-l64p 2.pbes=200+(1+B rbe4=200+(1+B) rbel=200+(+B)x=3.3k R3=rbs5+(1+B)R8=812k BR7∥R rbe4+(1+B)R6 R2=rbe4+(1+B)R6=317k R1∥R Av 32 2 reel+r3 (+ B)Rs has+(+B)R=098 Av= AvlAv2Av3=80 3.An3=(1+B)R∥R 0.997 rbes+(1+B)Rs∥RL 4=Av4243=80
VB 5 = VC 4 = VBE = 0.7 V mA R V V I C EE C 1.57 ( ) 7 4 4 = − − = VE 4 = VCC − IC 4 R 6 = 8.88 V VB 4 = VC 1 = VE 4 − VBE = 8.18 V mA R V V I CC C C 0.68 1 1 1 = − = ID = 2 IC 1 = 1.36mA VGS = −IDR 5 = − 1.64 V 2 ． k IV r CT be 200 ( 1 ) 1.6 5 5 = + + = k IV r CT be 200 ( 1 ) 1.54 4 4 = + + = k IV r CT be 200 ( 1 ) 3.3 1 1 = + + = R i 3 = rbe 5 + ( 1 + ) R 8 = 812 k 2.5 ( 1 ) // 4 6 7 3 2 = − + + = − r R R R A be i V R i 2 = rbe 4 + ( 1 + ) R 6 = 317 k 32 // 21 1 3 1 2 1 = − + = − r R R R A be i V 0.998 ( 1 ) ( 1 ) 5 8 8 3 = + + + = r R R A be V A V = A V 1 A V 2 A V 3 = 80 3 ． 0.997 ( 1 ) // ( 1 ) // 5 8 8 3 = + + + = be L L V r R R R R A A V = A V 1 A V 2 A V 3 = 80
