§41场效应管放大电路 场效应管简介(以N沟道为例) 场效应管有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电 阻区,对应于三极管的截止区、放大区和饱和区 1、结型场效应管 cs|增大到 定值,沟道 导电 消失,漏极电 沟道 耗尽层 流为0 (l1 转移特性 利用gS之间电压来控制d-s之间的电流。lf(uos)
§4.1 场效应管放大电路 一、场效应管简介 （以N沟道为例） 场效应管有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电 阻区，对应于三极管的截止区、放大区和饱和区。 1、结型场效应管 利用g-s之间电压来控制d-s之间的电流。iD =f (uGS) 转移特性 │uGS│增大到 一定值，沟道 消失，漏极电 流为0。 导电 沟道
p =f(a SUDs=常量 p=f( UGs=常量 预夹断轨迹 漏极饱 变 和电流 阻区 DSS 夹断 流 穿 2V 电压 区 3V| 区 4V u DS GS(off) 夹断区 在恒流区时 GD U GS(off 时 称为预夹断 ' GS 常量 GS(off) GS
2 GS(off) GS D DSS ( 1 ) Uu i = I − 在恒流区时 iD = f (uGS) UDS =常量 i D = f ( uDS ) UGS =常量 uGD = UGS(off) 时 称为预夹断 =常量 = DS GS D m U ui g 夹断 电压 漏极饱 和电流
2、绝缘栅型场效应管 增强型管 耗尽型管 N 反型层 耗尽层 P B B 反型层 lhs不变,ls增大,sO绝缘层 加正离子 反型层(导电沟道)将变 厚变长。当反型层将两个s=0时就存在导电沟道。 N区相接时,管子导通
2、绝缘栅型场效应管 反型层 uDS 不变，uGS增大， 反型层（导电沟道）将变 厚变长。当反型层将两个 N区相接时，管子导通。 增强型管 SiO2绝缘层 耗尽型管 加正离子 uGS=0时就存在导电沟道
2、绝缘栅型场效应管 l)增强型MOS管 开启 电压 B 2)耗尽型MOS管 GS(off)
2、绝缘栅型场效应管 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启 电压
3、场效应管分类 /结型N沟道(s0) P沟道(us>0) 场效应管 增强型 N沟道(s>0) 0) 绝缘栅型 P沟道( GS 耗尽型N沟道(x极性意 P沟道极性任意)
3、场效应管分类 P ( ) N ( ) P ( 0) N ( 0) P ( 0) N ( 0) G S G S G S G S G S G S 沟道 极性任意 沟道 极性任意 耗尽型 沟道 ＜ 沟道 ＞ 增强型 绝缘栅型 沟道 ＞ 沟道 ＜ 结型 场效应管 u u u u u u
二、场效应管静态工作点的设置方法 1、基本共源放大电路 +I R GSO BB BB DQ DO GS(th) DSQ DD DQ 2、自给偏压电路 GQ ?+ GSO =U00-U0=-mR CL RL GSQ Rsll C GS(off)
二、场效应管静态工作点的设置方法 1、基本共源放大电路 DSQ DD DQ d 2 GS(th) BB DQ DO GSQ BB ( 1) U V I R U V I I U V = − = − = 2、自给偏压电路 GSQ GQ SQ DQ s GQ 0 SQ DQ s U U U I R U U I R = − = − = ， = 2 GS(off) GSQ D DSS (1 ) U U I = I −
3、分压式偏置电路 o+V DD R GO AQ DD R+r sQ DQ R A GSO DO GS(th)
3、分压式偏置电路 SQ DQ s DD g1 g2 g1 GQ AQ U I R V R R R U U = + = = 2 GS(th) GSQ D DO = ( −1) U U I I
场效应管放大电路的动态分析 1、场效应管的交流等效模型
三、场效应管放大电路的动态分析 1、场效应管的交流等效模型
2、基本共源放大电路的动态分析 ♀+D RB g 4 R
2、基本共源放大电路的动态分析 o d i m d g s d d i o R R R g R U I R U U Au = = = − − = =
3、基本共漏放大电路的动态分析 g + g1 R U。_lR3g U;U+lR、1+gnR R R R3∥ tgm R
3、基本共漏放大电路的动态分析 = + = + = = i m s m s g s d s d s i o 1 R g R g R U I R I R U U Au m s m o s o o o o o 1 g R g U R U U I U R = ∥ + = =
