1.非晶硅光吸收谱 可见光能量在1.64-3.19eV 光吸收 价带 1.本征吸收区（≥101cm1) v≥Eo,不受准动量守恒的限制。 10 非晶硅的本征光吸收>>晶体硅的 1.本征吸收 2.带边（指数）吸收区(1<a<10cm) 10 acc exp(hv/Eto) 带尾态的指数分布 (Ubach带尾) Eo一Ubach能量，Eo标志带尾的宽度 是 3.次带吸收 2 和结构无序的程度 103 3.次带（带隙态）吸收区(a<10cm) (指数) 提供带隙态的信息。 收 109 1.0 1.5 2.0 2.5 Photon energy (eV)1. 非晶硅光吸收谱 可见光能量在1.64-3.19 eV