性和重要性来看,它在晶体中占有头等重要的地位。 半导体晶体是从20世纪50年代开始发展起来的。第一代半 导体晶体是锗(Ge)单晶和硅单晶(Si)。由它们制成的各种二极 管、三极管、场效应管、可控硅及大功率管等器件,在无线电 子工业上有着极其广泛的用途。它们的发展使得集成电路从只 包括十几个单元电路飞速发展到含有成干上万个元件的超大规 模集成电路,从而极大地促进了电子产品的微小型化,大大提 高了工作的可靠性,同时又降低了成本,进而促进了集成电路 在空间研究、核武器、导弹、雷达、电子计算机、军事通信装 备及民用等方面的广泛应用。 目前,除了向大直径、高纯度、高均匀度及无缺陷方向发 展的硅单晶之外,人们又研究了第二代半导体晶体Ⅲ-V 族化合物,如(GaAs)、磷化镓(GaP等单晶。近来,为了满足 对更高性能的需求,已发展到三元或多元化合物等半导体晶体。 在半导体晶体材料中,特别值得一提的是氮化镓GaN晶 体。由于它具有很宽的禁带宽度(室温下为3.4eV),因而是蓝 绿光发光二级管(LED)、激光二极管LD)及高功率集成电路的性和重要性来看，它在晶体中占有头等重要的地位。 半导体晶体是从20世纪50年代开始发展起来的。第一代半 导体晶体是锗(Ge)单晶和硅单晶(Si)。由它们制成的各种二极 管、三极管、场效应管、可控硅及大功率管等器件，在无线电 子工业上有着极其广泛的用途。它们的发展使得集成电路从只 包括十几个单元电路飞速发展到含有成千上万个元件的超大规 模集成电路，从而极大地促进了电子产品的微小型化，大大提 高了工作的可靠性，同时又降低了成本，进而促进了集成电路 在空间研究、核武器、导弹、雷达、电子计算机、军事通信装 备及民用等方面的广泛应用。 目前，除了向大直径、高纯度、高均匀度及无缺陷方向发 展的硅单晶之外，人们又研究了第二代半导体晶体——Ⅲ---V 族化合物，如(GaAs)、磷化镓(GaP)等单晶。近来，为了满足 对更高性能的需求，已发展到三元或多元化合物等半导体晶体。 在半导体晶体材料中，特别值得一提的是氮化镓(GaN)晶 体。由于它具有很宽的禁带宽度(室温下为3．4eV)，因而是蓝 绿光发光二级管(LED)、激光二极管(LD)及高功率集成电路的