(3)p-n结 p-n结：当p型半导体和n型半导体相接触，在p型和n型界面的两侧，正负载流子的浓度不同，p型 中正电载流子的浓度较大，而在n型中，负电载流子（电子）的浓度较大。于是，就有电子从n型扩 散到p型中，而空穴则从p型扩散到n型中去。这样，在p型和n型之间的界面上，出现了一个偶电层， 称为p-n结。 18.2基本训练 18.2.1选择题 1.已知某单色光照射到一金属表面产生了光电效应，若此金属的逸出电势是U(使电子从金属逸出需 作功eUo),则此单色光的波长入必须满足： (a)λ≤hc/(eUo)(B)λ≥hc/(eUo) (C)λ≤eUo/(hc)(C)λ≥eUo/(hc) 2.已知一单色光照射在钠表面上，测得光电子的最大动能是1.2V,而钠的红限波长是5400A,那么 入射光的波长是() (A)5350A(B)5000A (C)4350A(D)3550A 3.在X射线散射实验中，若散射光波长是入射光波长的1.2倍，则入射光光子能量ε0与散射光光子能量 e之比eo/ε为() (A)0.8 (B)1.2 (C)1.6(D)2.0 3.在X射线散射实验中，若散射光波长是入射光波长的1.2倍，则入射光光子能量ε0与散射光光子能量 e之比eo/e为() (A)0.8 (B)1.2 (C)1.6 (D)2.0 4.在X射线散射实验中，若散射光波长是入射光波长的1.2倍，则入射光光子能量ε0与散射光光子能 量e之比eo/e为() (A)0.8 (B)1.2 (C)1.6 (D)2.0 5.在康普顿效应实验中，若散射光波长是入射光波长的1.2倍，则散射光光子能量ε与反冲电子动能 EK之比e/Ex为(）(3)p-n 结 p-n 结：当p型半导体和n型半导体相接触，在p型和n型界面的两侧，正负载流子的浓度不同，p型 中正电载流子的浓度较大，而在n型中，负电载流子（电子）的浓度较大。于是，就有电子从n型扩 散到p型中，而空穴则从p型扩散到n型中去。这样，在p型和n型之间的界面上，出现了一个偶电层， 称为p-n 结。 18.2 基本训练 18.2.1 选择题 1.已知某单色光照射到一金属表面产生了光电效应,若此金属的逸出电势是U0(使电子从金属逸出需 作功 e U0),则此单色光的波长λ必须满足: (A) λ≤hc/(e U0) (B) λ≥hc/(e U0) (C) λ≤e U0/(hc) (C) λ≥eU0/(hc) 2.已知一单色光照射在钠表面上,测得光电子的最大动能是1.2eV,而钠的红限波长是5400 Å ,那么 入射光的波长是( ) (A)5350 Å (B)5000 Å (C)4350 Å (D)3550 Å 3.在X射线散射实验中,若散射光波长是入射光波长的1.2倍,则入射光光子能量ε0与散射光光子能量 ε之比ε0/ε为( ) (A)0.8    (B)1.2   (C)1.6  (D)2.0 3.在X射线散射实验中,若散射光波长是入射光波长的1.2倍,则入射光光子能量ε0与散射光光子能量 ε之比ε0/ε为( ) (A)0.8 (B)1.2 (C)1.6 (D)2.0 4. 在X射线散射实验中,若散射光波长是入射光波长的1.2倍,则入射光光子能量ε0与散射光光子能 量ε之比ε0/ε为( ) (A)0.8 (B)1.2 (C)1.6 (D)2.0 5. 在康普顿效应实验中,若散射光波长是入射光波长的1.2倍,则散射光光子能量ε与反冲电子动能 EK之比ε/EK为( )