杜玉峰等：室温注氢F-Cr合金在不同温度退火后位错环的表征 ·1023· 位错环中1/2[111](111)和1/2[111](111)类 (010)「001(001)类型位错环的数量 型的位错环消光，不可见：相反1/2[111](111)和 如图11(a)所示，在衍射矢量g=[200]时， 1/2[111](111)类型的位错环呈椭圆形，长轴沿 [010](010)和[001](001)类型的位错环消光不 [-110]方向，图中用六边形标记.〈100〉类型的位 可见.[100](100)类型的位错环惯习面与投影面 错环与在g=[110]衍射矢量下相同.如图10(b) 垂直，呈Double-bean衬度，长轴沿[011]方向，图11 中六边形所标记的，1/2[111](111)和1/2[111] (b)中圆圈所示.1/2〈111)类型的位错环均可见， (111)类型的位错环有71个. 其中[111](111)和[111](111)类型的位错环惯 在[001]轴下，无论衍射矢量g如何选择， 习面与投影面垂直，呈Double-bean衬度，长轴分别 [001](001)型位错环总不可见，但是另外两种 沿[211]和[211]方向；[111](111)和[111] (100)类型的位错环[100](100)和[010](010)数 (111)类型的位错环呈椭圆形，长轴沿[011]方向， 量为19个，占(100)型位错环的2/3：而1/2〈111〉 1/2〈111)类型的位错环在图11(b)中均由六边形 类型的位错环总数量为147个.因此，室温注氢Fe- 标记.统计得[100](100)型的位错环共计24个， 9%Cr合金400℃退火后，在所观察区域(100〉型位 1/2〈111〉类型的位错环共计7个. 错环数量为29个，12〈111)类型的位错环数量为 如图12所示，在衍射矢量g=[011]时，[100] 147个. (100)以及[111](111)和[111](111)类型的位错 室温注入氢离子的Fe-9%Cr合金500℃退火 环消光不可见.[010](010)和[001](001)类型的 后微观组织形貌如图11所示.500℃退火后样品中 位错环呈椭圆形，位错环长轴沿[200]方向如图12 的缺陷密度进一步减少，位错环的尺寸在50~100 (b)中正方形所示，统计得[010](010)和[001] m之间.与400℃相比，由于温度较高，位错环尺 (001)类型的位错环个数为66个. 寸进一步长大 综上所述，室温注氢Fe-9%Cr合金500℃退火 在[011]轴下，选取衍射矢量g=[200],g= 后，在所观察区域(100〉型位错环数量为90个，1/2 [011]分别统计了[100](100)1/2(111〉和[010] (111〉类型的位错环数量为7个. a b i10 020 200 B0 020 (c) 110 (111) (111) 100) 200、 2 10 010 )71个111111)和111111)型位错环 晶带轴方向B=001] 图10注氢Fe-9%Cr合金在400℃退火后的相关图像.(a)衍射花样：(b)位错环在[001]品带轴下，衍射矢量g=[110]的明场像：(c) 对应的位错环投影示意图（考虑g·b=0不可见判据） Fig.10 Images of hydrogen ion implanted Fe-9%Cr alloy after annealing at 400C:(a)the diffraction pattem;(b)the bright-field image with dif- fraction vector g=[1 10]under the [001]zone axis;(c)the corresponding dislocation loop map under the [001]zone axis considering gb=0 in- visibility criterion)杜玉峰等: 室温注氢 Fe鄄鄄Cr 合金在不同温度退火后位错环的表征 位错环中 1 / 2 [111] (111)和 1 / 2 [1 11] (1 11)类 型的位错环消光,不可见;相反 1 / 2 [111] (111)和 1 / 2 [11 1] (11 1)类型的位错环呈椭圆形,长轴沿 [ - 110]方向,图中用六边形标记. 掖100业类型的位 错环与在 g = [110]衍射矢量下相同. 如图 10( b) 中六边形所标记的,1 / 2 [111] (111)和 1 / 2 [11 1] (11 1)类型的位错环有 71 个. 图 10 注氢 Fe鄄鄄9% Cr 合金在400 益退火后的相关图像郾 (a) 衍射花样; (b) 位错环在[001]晶带轴下,衍射矢量 g = [1 10]的明场像; (c) 对应的位错环投影示意图(考虑 g·b = 0不可见判据) Fig. 10 Images of hydrogen ion implanted Fe鄄鄄9% Cr alloy after annealing at 400 益 : (a) the diffraction pattern; (b) the bright鄄field image with dif鄄 fraction vector g = [1 10] under the [001] zone axis; (c) the corresponding dislocation loop map under the [001] zone axis (considering g·b = 0 in鄄 visibility criterion) 在[001 ] 轴 下, 无 论 衍 射 矢 量 g 如 何 选 择, [001] (001) 型位错环总不可见,但是另外两种 掖100业类型的位错环[100] (100)和[010] (010)数 量为 19 个,占掖100业型位错环的 2 / 3;而 1 / 2 掖111业 类型的位错环总数量为 147 个. 因此,室温注氢 Fe鄄鄄 9% Cr 合金 400 益退火后,在所观察区域掖100业型位 错环数量为 29 个,1 / 2 掖111业类型的位错环数量为 147 个. 室温注入氢离子的 Fe鄄鄄9% Cr 合金 500 益 退火 后微观组织形貌如图 11 所示. 500 益退火后样品中 的缺陷密度进一步减少,位错环的尺寸在 50 ~ 100 nm 之间. 与 400 益 相比,由于温度较高,位错环尺 寸进一步长大 在[011] 轴下,选取衍射矢量 g = [200],g = [0 11]分别统计了[100] (100) 1 / 2 掖111业和[010] (010) [001] (001)类型位错环的数量. 如图 11 ( a) 所示,在衍射矢量 g = [200] 时, [010] (010)和[001] (001) 类型的位错环消光不 可见. [100] (100)类型的位错环惯习面与投影面 垂直,呈 Double鄄bean 衬度,长轴沿[01 1]方向,图 11 (b)中圆圈所示. 1 / 2 掖111业类型的位错环均可见, 其中[1 11] (1 11)和[11 1] (11 1)类型的位错环惯 习面与投影面垂直,呈 Double鄄bean 衬度,长轴分别 沿[ 21 1 ] 和 [ 2 11 ] 方 向; [ 111 ] ( 111 ) 和 [ 111 ] (111)类型的位错环呈椭圆形,长轴沿[0 11]方向, 1 / 2 掖111业类型的位错环在图 11(b)中均由六边形 标记. 统计得[100] (100)型的位错环共计 24 个, 1 / 2 掖111业类型的位错环共计 7 个. 如图 12 所示,在衍射矢量 g = [0 11]时,[100] (100)以及[111] (111)和[111] (111)类型的位错 环消光不可见. [010] (010)和[001] (001)类型的 位错环呈椭圆形,位错环长轴沿[200]方向如图 12 (b)中正方形所示,统计得[010] (010) 和[001] (001)类型的位错环个数为 66 个. 综上所述,室温注氢 Fe鄄鄄9% Cr 合金 500 益退火 后,在所观察区域掖100业型位错环数量为 90 个,1 / 2 掖111业类型的位错环数量为 7 个. ·1023·