Ic (3)、电子在基区扩散和复合的过程： IEp 由基区热平衡多子空穴，在外电场作用下，扩散到发射 区形成的空穴电流。 In-Icml由基区非平衡少子电子复合掉热平衡多子空穴的 复合电流。 Icp、Ic2由基区与集电区中的热平衡少子，在外电场用下， 形成漂移电子电流及空穴电流。（3）、电子在基区扩散和复合的过程： IEp 由基区热平衡多子空穴，在外电场作用下，扩散到发射 区形成的空穴电流。 IEn – ICn1 由基区非平衡少子电子复合掉热平衡多子空穴的 复合电流。 ICp 、ICn2 由基区与集电区中的热平衡少子，在外电场用下， 形成漂移电子电流及空穴电流。 E C B N P N IEp IEn R2 V V2 1 R1 ICp ICn2 ICn1 IC IB IE ICBO