雪体特理黄尾躔库_20050404 根据掺杂元素对导电的不同影响,杂质态可分为两种类型。 杂质在带隙中提供带有电子的能级,能级略低于导带底的能量,和价带中的电子相比较,很容易激 发到导带中,称为电子载流子。主要含有施主杂质的半导体,主要依靠施主热激发到导带的电子导 电一一N型半导体 杂质提供带隙中空的能级,电子由价带激发到受主能级要比激发到导带容易的多。主要含有受主杂 质的半导体,因价带中的一些电子被激发到施主能级,而在价带中产生许多空穴,主要依靠这些空 穴导电一-P型半导体 Q0207012半导体中掺入深能级杂质,对半导体的导电有何影响? 1)可以成为有效复合中心,大大降低载流子的寿命;2)可以成为非辐射复合中心,影响半导体 的发光效率;3)可以作为补偿杂质,大大提高半导体材料的电阻率。 Q0207013以在Ge半导体掺入As为例,简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近? 一个第ⅣV族元素Ge(4价元素)被一个第Ⅴ族元素As(5价元素)所取代的情形,As原子和近邻 的Ge原子形成共价键后尚剩余一个电子。因为共价键是一种相当强的化学键,束缚在共价键上的电 子能量很低,从能带的角度来说,就是处于价带中的电子。多余一个电子受到As离子静电吸引,其 束缚作用是相当微弱的,在能带图中,它位于带隙之中,且非常接近导带底。这个电子只要吸收很 小的能量,就可以从带隙跃迁到导带中成为电子载流子。 REVISED TIME: 05-9-16 CREATED BY XCH固体物理_黄昆_题库_20050404 根据掺杂元素对导电的不同影响，杂质态可分为两种类型。 杂质在带隙中提供带有电子的能级，能级略低于导带底的能量，和价带中的电子相比较，很容易激 发到导带中，称为电子载流子。主要含有施主杂质的半导体，主要依靠施主热激发到导带的电子导 电——N 型半导体。 杂质提供带隙中空的能级，电子由价带激发到受主能级要比激发到导带容易的多。主要含有受主杂 质的半导体，因价带中的一些电子被激发到施主能级，而在价带中产生许多空穴，主要依靠这些空 穴导电——P 型半导体。 Q02_07_012 半导体中掺入深能级杂质，对半导体的导电有何影响？ 1) 可以成为有效复合中心，大大降低载流子的寿命；2) 可以成为非辐射复合中心，影响半导体 的发光效率；3) 可以作为补偿杂质，大大提高半导体材料的电阻率。 Q02_07_013 以在 Ge 半导体掺入 As 为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？ 一个第IV族元素Ge（4 价元素）被一个第V族元素As（5 价元素）所取代的情形，As原子和近邻 的Ge原子形成共价键后尚剩余一个电子。因为共价键是一种相当强的化学键，束缚在共价键上的电 子能量很低，从能带的角度来说，就是处于价带中的电子。多余一个电子受到As+ 离子静电吸引，其 束缚作用是相当微弱的，在能带图中，它位于带隙之中，且非常接近导带底。这个电子只要吸收很 小的能量，就可以从带隙跃迁到导带中成为电子载流子。 REVISED TIME: 05-9-16 - 8 - CREATED BY XCH