44绝缘栅双极晶体管 GTR和GTO的特点——双极型,电流驱动,有电导调制效应,通流 能力很强,开关速度较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂 MOSFET的优点——单极型,电压驱动,开关速度快,输入阻抗高, 热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单 两类器件取长补短结合而成的复合器件 bi-Mos器件 绝缘栅双极晶体管( Insulated- gate Bipolar transistor- IGBT或IGT) GTR和 MOSFET复合,结合二者的优点,具有良好的特性 1986年投入市场后,取代了GTR和一部分 MOSFET的市场,中小功 率电力电子设备的主导器件 继续提高电压和电流容量,以期再取代GTO的地位4.4 绝缘栅双极晶体管 GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流 能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂 MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高， 热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单 两类器件取长补短结合而成的复合器件——Bi-MOS器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有良好的特性 1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功 率电力电子设备的主导器件 继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位