4.4.1.IGBT的结构和工作原理 三端器件:栅极G、集电极C和发射极E 发射极栅极 I RNI 移区 缓冲区G。4 集电极 a) c) 图4-19IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号 IGBT的结构 图1-22aN沟道 VDMOSFET与GTR组合—N沟道IGBT(N-IGBT) IGBT比 VDMOSFET多一层P注入区,形成了一个大面积的PN结J1 使IGBT导通时由P注入区向N基区发射少子,从而对漂移区电导率进行 调制,使得IGBT具有很强的通流能力 简化等效电路表明,IGBT是GTR与 MOSFET组成的达林顿结构,一个由 MOSFET 驱动的厚基区PNP晶体管 R为晶体管基区内的调制电阻4.4.1. IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图4-19 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 IGBT的结构 图1-22a—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT（N-IGBT） IGBT比VDMOSFET多一层P +注入区，形成了一个大面积的P +N结J1 ——使IGBT导通时由P +注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行 调制，使得IGBT具有很强的通流能力 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET 驱动的厚基区PNP晶体管 RN为晶体管基区内的调制电阻 E G C N+ N- a) P N+ N+ P N+ N+ P + 发射极 栅极 集电极 注入区 缓冲区 J 3 J 2 漂移区 J 1 G E C + - - + + - ID RN IC VJ 1 ID Ro n b) G C c)