IGBT的原理 驱动原理与电力 MOSFET基本相同,场控器件,通断由 栅射极电压l决定 导通:,lt大于开启电压cab时, MOSFET内形成沟道, 为晶体管提供基极电流,IGBT导通 导通压降:电导调制效应使电阻R减小,使通态压降 关断:栅射极间施加反压或不加信号时, MOSFET内的 沟道消失,晶体管的基极电流被切断,IGBT关断IGBT的原理 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由 栅射极电压uGE决定 导通：，uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道， 为晶体管提供基极电流，IGBT导通 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降 小 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的 沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断