4.4.2.IGBT的基本特性与参数 1.IGBT的基本特性 有源区 1)IGBT的静态特性 Ua增加 Uax反向阻断区 图4-20IGBT的转移特性和输出特性 a)转移特性b)输出特性 转移特性——与l间的关系,与 MOSFET转移特性类似 开启电压( (th)--IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压 lE(b随温度升高而略有下降,在+25°C时,lE(b的值一般为26V 输出特性(伏安特性)—以l为参考变量时,C与l间的关系 分为三个区域:正向阻断区、有源区和饱和区。分别与GTR的截止区、放大区和饱和 区相对应cE<0时,IGBT为反向阻断工作状态4.4.2. IGBT的基本特性与参数 1. IGBT的基本特性 1) IGBT的静态特性 图4-20 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 转移特性——IC与UGE间的关系，与MOSFET转移特性类似 开启电压UGE(th)——IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压 UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25C时，UGE(th)的值一般为2~6V 输出特性（伏安特性）——以UGE为参考变量时，IC与UCE间的关系 分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。分别与GTR的截止区、放大区和饱和 区相对应uCE<0时，IGBT为反向阻断工作状态 O 有源区 正向阻断区 饱 和 区 反向阻断区 a) b) IC UGE(th) UGE O IC UR M UFM UC E UGE(th) UGE增加