2)IGBT的动态特性 制t U 图421IGBT的开关过程 IGBT的开通过程 与 MOSFET的相似,因为开通过程中IGBT在大部分时间作为 MOSFET运行 开通延迟时间t(om)—从lE上升至其幅值10%的时刻,到i上升至10% 电流上升时间t—1c从10%c上升至90%所需时间 开通时间ton开通延迟时间与电流上升时间之和 eE的下降过程分为t1和t2两段。t11IGBT中 MOSFET单独工作的电压下降过 程;t2M0SFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程2) IGBT的动态特性 图4-21 IGBT的开关过程 IGBT的开通过程 与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行 开通延迟时间td(on) ——从uGE上升至其幅值10%的时刻，到iC上升至10% ICM 电流上升时间tr ——iC从10%ICM上升至90%ICM所需时间 开通时间ton——开通延迟时间与电流上升时间之和 uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过 程；tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程 t t t 10% 90% 10% 90% UCE IC 0 O 0 UGE UGEM ICM UCEM t fv1 t fv2 t off t o n t fi1 t fi2 t d(off) t f t d(on) t r UCE(on)