IGBT的关断过程 关断延迟时间t(ar—从后沿下降到其幅值9O%的时刻 起,到i下降至90% 电流下降时间—元从90%下降至10%M 关断时间t关断延迟时间与电流下降时间之和 电流下降时间又可分为t1和t12两段。t1IGBT内部的 MOSFET的关断过程,i下降较快; t:-IGBT内部的PNP晶体管 的关断过程,ic下降较慢 IGBT中双极型PNP晶体管的存在,虽然带来了电导调制效应 的好处,但也引入了少子储存现象,因而IGBT的开关速度低于电 力 MOSFET IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需要折衷的参数IGBT的关断过程 关断延迟时间td(off) ——从uGE后沿下降到其幅值90%的时刻 起，到iC下降至90%ICM 电流下降时间——iC从90%ICM下降至10%ICM 关断时间toff——关断延迟时间与电流下降时间之和 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。tfi1——IGBT内部的 MOSFET的关断过程，iC下降较快；tfi2——IGBT内部的PNP晶体管 的关断过程，iC下降较慢 IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应 的好处，但也引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度低于电 力MOSFET IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需要折衷的参数