2.IGBT的主要参数 1)最大集射极间电压ls由内部PNP晶体管的击穿电压确定 2)最大集电极电流包括额定直流电流(和1ms脉宽最大电流lp 3)最大集电极功耗P正常工作温度下允许的最大功耗 3.IGBT的擎住效应和安全工作区 寄生晶闸管由一个NPN晶体管和作为主开关器件的PNP晶体管组成 擎住效应或自锁效应:NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻,P形 体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降,相当于对J3结施加正偏压,一旦J3开 通,栅极就会失去对集电极电流的控制作用,电流失控 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小 正偏安全工作区(FBS0A)——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集 电极功耗确定 反向偏置安全工作区( RBSOA)—最大集电极电流、最大集射极间电压和最 大允许电压上升率du/dt确定 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高,20世纪90年代中后期开始逐渐解决 IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起,制成模块,成为逆导器件2. IGBT的主要参数 1) 最大集射极间电压UCES 由内部PNP晶体管的击穿电压确定 2) 最大集电极电流 包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 3) 最大集电极功耗PCM 正常工作温度下允许的最大功耗 3. IGBT的擎住效应和安全工作区 寄生晶闸管——由一个N -PN+晶体管和作为主开关器件的P +N -P晶体管组成 擎住效应或自锁效应：NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形 体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开 通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小 正偏安全工作区（FBSOA）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集 电极功耗确定 反向偏置安全工作区（RBSOA）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最 大允许电压上升率duCE/dt确定 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决 IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件