.616. 工程科学学报，第41卷，第5期 (a) (b) (d) (e) D (g) (h) ) G (1)5 图6高温退火中断试样宏观组织.A样品：(a)950℃；(b)1000℃：(c)1050℃；(d)1100℃；E样品：(c)950℃：()1000℃：(g) 1050℃：(h)1100℃：D样品：(i)950℃：(j)1000℃：(k)1050℃：(1)1100℃ Fig.6 Macrostructure of the samples after interrupted high temperature annealing.Sample A:(a)9s0℃：(b)1000℃：(c)l0s0℃；(d)ll00 ℃：sample E:(e)950℃：(f)1000℃：(g)1050℃：(h)1100℃：sample D:(i)950℃：(j)1000℃：(k)1050℃：(1)1100℃ 高，与抑制剂熟化长大有关，但B样品的磁性能却外，{210}<001>取向的偏转会使成品磁性显著下 较差，磁感只有1.776T,而D的磁感值为1.834T. 降.D样品高温退火中断试样的宏观组织如图6所 B样品二次再结晶组织电子背散射衍射分析如图7 示，在1050℃时未发现异常长大晶粒，1100℃时晶 所示，样品中存在高斯{110}<001>、{210}<001> 粒发生了异常长大，说明其二次再结晶温度在 取向和其他杂取向（其取向特征主要表现为偏 1050~1100℃之间，二次再结晶温度较高.Kumano {210}<001>取向).{210}<001>取向晶粒在二 等)提出抑制剂过量后可以发生二次再结晶，但磁 次再结晶过程中异常长大不会降低最终成品磁性 性能下降，原因是抑制剂过量推迟二次再结晶温度， 能2，原因是210<001>取向晶粒与高斯晶粒一 高斯取向品粒长大速度慢，吞噬非高斯取向晶粒的 样具有<001>平行于轧向的特点，且其在一次再结 速度慢，因此在二次再结晶完成后也存在异常长大 晶时数量和尺寸占有优势，因此二次再结晶过程中 的非高斯取向晶粒，最终导致磁性能缓慢下降.因 能够异常长大，但{210}<001>取向晶粒数目多， 此D样品的磁感值稍低是因为其渗氨量偏高，抑制 尺寸小，大量存在时不如单个的高斯晶粒磁性好，此 剂过量使其二次再结晶温度升高，最终磁性能降低 RD RD 100 100 ND TD -RD 1000m -(a) (b) (c) 注：1101<001>.2101<001>，10c112三.1101<2-27>.允许取向偏差≤10° 极密度等高线：1-2-3-4-5 图7A样品二次再结品品粒取向成像(a)与{100|极图(b)(c) Fig.7 EBSD orientation images (a)and 100 pole figures (b)(c)of sample B工程科学学报,第 41 卷,第 5 期 图 6 高温退火中断试样宏观组织. A 样品:(a) 950 益 ; ( b) 1000 益 ; (c) 1050 益 ; ( d) 1100 益 ; E 样品:( e) 950 益 ; ( f) 1000 益 ; ( g) 1050 益 ; (h) 1100 益 ; D 样品:(i) 950 益 ; (j) 1000 益 ; (k) 1050 益 ; (l) 1100 益 Fig. 6 Macrostructure of the samples after interrupted high temperature annealing. Sample A: (a) 950 益 ; (b) 1000 益 ; (c) 1050 益 ; (d) 1100 益 ; sample E: (e) 950 益 ; (f) 1000 益 ; (g) 1050 益 ; (h) 1100 益 ; sample D: (i) 950 益 ; (j) 1000 益 ; (k) 1050 益 ; (l) 1100 益 高,与抑制剂熟化长大有关,但 B 样品的磁性能却 图 7 A 样品二次再结晶晶粒取向成像(a)与{100}极图(b)(c) Fig. 7 EBSD orientation images (a) and {100} pole figures (b)(c) of sample B 较差,磁感只有 1郾 776 T,而 D 的磁感值为 1郾 834 T. B 样品二次再结晶组织电子背散射衍射分析如图 7 所示,样品中存在高斯{110} < 001 > 、{210} < 001 > 取向和其他杂取向 ( 其取向特征主要表现为偏 {210} < 001 > 取向). {210} < 001 > 取向晶粒在二 次再结晶过程中异常长大不会降低最终成品磁性 能[22] ,原因是{210} < 001 > 取向晶粒与高斯晶粒一 样具有 < 001 > 平行于轧向的特点,且其在一次再结 晶时数量和尺寸占有优势,因此二次再结晶过程中 能够异常长大,但{210} < 001 > 取向晶粒数目多, 尺寸小,大量存在时不如单个的高斯晶粒磁性好,此 外,{210} < 001 > 取向的偏转会使成品磁性显著下 降. D 样品高温退火中断试样的宏观组织如图 6 所 示,在 1050 益 时未发现异常长大晶粒,1100 益 时晶 粒发生了异常长大, 说明其二次再结晶温度在 1050 ~ 1100 益之间,二次再结晶温度较高. Kumano 等[13]提出抑制剂过量后可以发生二次再结晶,但磁 性能下降,原因是抑制剂过量推迟二次再结晶温度, 高斯取向晶粒长大速度慢,吞噬非高斯取向晶粒的 速度慢,因此在二次再结晶完成后也存在异常长大 的非高斯取向晶粒,最终导致磁性能缓慢下降. 因 此 D 样品的磁感值稍低是因为其渗氮量偏高,抑制 剂过量使其二次再结晶温度升高,最终磁性能降低. ·616·