2)薄膜型半导体应变片 这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上而制成,其结 构示意图见图21.3。 3)扩散型半导体应变片 将P型杂质扩散到N型硅单晶基底上,形成一层极薄的P型导电层,再通过超声波和热压 焊法接上引出线就形成了扩散型半导体应变片。图2.14为扩散型半导体应变片示意图。这是 种应用很广的半导体应变片。 图2.1.3薄膜型半导体应变片 图2.1.4扩散型半导体应变片 1-锗膜2绝缘层 1-N型硅2-P型硅扩散层 3-金属箔基底4-引线 3一二氧化硅绝缘层4-铝电极5—引线2）薄膜型半导体应变片 这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上而制成，其结 构示意图见图2.1.3。 3）扩散型半导体应变片 将P型杂质扩散到N型硅单晶基底上，形成一层极薄的P型导电层，再通过超声波和热压 焊法接上引出线就形成了扩散型半导体应变片。图2.1.4为扩散型半导体应变片示意图。这是 一种应用很广的半导体应变片。 1 2 3 4 图2.1.3 薄膜型半导体应变片 1–锗膜 2--绝缘层 3–金属箔基底 4--引线 2 1 3 4 5 图2.1.4 扩散型半导体应变片 1--N型硅 2--P型硅扩散层 3--二氧化硅绝缘层 4–铝电极 5--引线