V+,V-的产生原理 利用了双极型晶体管的两个特性: 基极发射极电压(VB)与绝对温度成反比 在不同的集电极电流下,两个双极型晶体管的基极发 射极电压的差值(△VB)与绝对温度成正比 双极型晶体管构成了带隙电压基准的核心V+,V-的产生原理 利用了双极型晶体管的两个特性： ·基极-发射极电压（VBE）与绝对温度成反比 ·在不同的集电极电流下，两个双极型晶体管的基极-发 射极电压的差值（ΔVBE）与绝对温度成正比 双极型晶体管构成了带隙电压基准的核心