负温度系数电压 双极型晶体管,其集电极电流(Lc)与基极发射极电压(vg)关系为 ex BE/′T 其中,Vx=k/q。利用此公式推导得出vg电压的温度系数为 BE BE (4+m)r-E8 aT T 其中,m-15,Eg=1.12V是硅的带隙能量。当VB≈750mV, T=300K时,OVBE/O7≈-1.5m/°C VgE的温度系数本身就与温度有关负温度系数电压 ·双极型晶体管，其集电极电流（IC）与基极-发射极电压（VBE）关系为 其中， 。利用此公式推导得出VBE电压的温度系数为 其中， ， 是硅的带隙能量。当 ， 时， 。 · VBE的温度系数本身就与温度有关 exp( ) C S BE T I I V V = (4 ) VBE V m V E q BE T g T T  − + − =  m  −1.5 1.12 E eV g = 750 V mV BE  T K = 300 1.5 V T mV C BE    −  V kT q T =