北大微电子:模拟集成电路原理 几个常用的表达式 饱和区 GS 8m=uc lD=2Ipucox L a ×V 纵2+,/C 2 L北大微电子：模拟集成电路原理 几个常用的表 式达 (V V ) LW I D Cox GS th 21 2 饱和区： = μ ( − ) W I W V V V L dsat GS th D ox GS th 2 2 = − L W I C V I V L W g C D ox dsat D m ox dsat 1 2 2 = μ = = μ W I r D o 1 = λ I L W C V g r ox d m o 2 2 1 = × × = μ λ λ L V I dsat D 1 ∝ × λ λ λ L