北大微电子:模拟集成电路原理 MOSFET的IV特性 饱和区:ID=2L GS 沟长调制:ns1W 2∠(cs-v)(1+ms W 线性区:ID=Ca(as-Vm 2 深线性区:In=4C,(s-Vh)形 DS 线性电阻:Rn= S北大微电子：模拟集成电路原理 MOSFET的I-V特性 ( ) D ox VGS Vth LW I = μC − 21 2 饱和区： ( ) ( ) ( ) D ox VGS Vth VDS LW I C L = μ − 1 + λ 21 2 2 沟长调制： ( ) ( ) ( ) D ox GS th DS DS D ox GS th DS V V V V W I C L ⎥⎦⎤ ⎢⎣⎡ = μ − − μ 1 2 线性区： 2 ( ) ( ) D ox GS th DS DS V V V W I C L = − ⎥⎦ ⎢⎣ μ μ 2 深线性区： 线性区： ( ) D ox GS th DS R V V V L I C = = μ − 1 线性电阻： 深线性区： ( ) ox GS th on V V L W C R − = μ 线性电阻：