北大微电子:模拟集成电路原理 第二章器件模型 MOSFET的ⅠV特性 饱和区电流公式 线性区电流公式 沟道长度调制效应 MOSFET的小信号模型 低频小信号模型:图2.36 gn、r的表达式 完整小信号模型:图2.38北大微电子：模拟集成电路原理 第 章二 器件模型 • MOSFET的I-V特性 –饱和区电流公式 –线性区电流公式 –沟道长度调制效应 • MOSFET的小信号模型 –低频小信号模型：图2.36 • gm、ro的表达式 –完整小信号模型：图2.38