忽略位移电流的条件是/<1,即 G <<0 (6.1.1) 因此,似稳场成立的第一个条件是电磁场的变化频率远小于金属的特征频率 =。对于好的金属如铜,≈59×1021.m-,E≈E0=885×10-12F/m,其 特征频率为on≈67×108H。可见光的波长大约30000mm,对应的圆频率大约 105Hz。可见,对干许多好金属而言,在很大的频率范固内在金属内部将位移电 流忽略都是合理的。 (2)如果考察的区域是导电介质的外部,或者说我们考察真空中F处的源 激发的在F处的场。设场是谐变的,即所有物理量均带有e-m的因子。假设空间 的源为j(GF’,1)。如果不考虑“位移电流”的影响,则磁场应有源“即时”决定, B(F,1)=地「(F1)xR 4 其中,R=|-P。然而考虑“位移电流”的影响后,空间的场是由过去时刻的 源(j(F,t-R/c)=j(r)eo-)激发的。在离激发源不太远的地方,考虑“位 移电流导致的辐射效应,磁场的正确行为大致为 B(F,1)≈n「/(F:t-B1A/r'=B88, (具体证明将在第十二章中给出。要满足“瞬时关系“,就要求略去这一推迟效 应-亦即“辐射修正”。因为 B(F,1)=B(F,1)1+-oR+…|, 所以当条件 R<<1 即 R 满足时,可以略去eM的贡献(将其设为1)。这个过程相当于我们忽略“位移 电流“导致的推迟效应,成者说是辐射修正。这就是说,考察点到源的距离远小3 忽略位移电流的条件是 1 w c j j    ，即 c        (6.1.1) 因此，似稳场成立的第一个条件是电磁场的变化频率远小于金属的特征频率 c      。对于好的金属如铜， 7 1 1 12 0 5.9 10 , 8.85 10 /   c m Fm         ，其 特征频率为 18 6.7 10 Hz    。可见光的波长大约 300-700 nm, 对应的圆频率大约 15 10 Hz。可见，对于许多好金属而言，在很大的频率范围内在金属内部将位移电 流忽略都是合理的。 (2) 如果考察的区域是导电介质的外部，或者说我们考察真空中r  处的源 激发的在r  处的场。设场是谐变的，即所有物理量均带有 i t e  的因子。假设空间 的源为 j( ', ) r t   。如果不考虑“位移电流”的影响，则磁场应有源“即时”决定， 0 0 3 ( ', ) (,) ' 4 jr t R B rt d R            其中， R  r r   。然而考虑“位移电流”的影响后，空间的场是由过去时刻的 源（ ( /) ( ', / ) ( ') i t Rc jr t R c jr e         ）激发的。在离激发源不太远的地方，考虑“位 移电流导致的辐射效应, 磁场的正确行为大致为 0 / 3 0 ( ', / ) (,) ' (,) 4 i Rc jr t R c R Brt d B rte R                 ， (具体证明将在第十二章中给出)。要满足“瞬时关系“，就要求略去这一推迟效 应 - 亦即“辐射修正”。因为 0 (,) (,)1 i Brt B rt R c               ， 所以当条件 R 1 c   即 2 R    (6.1.2) 满足时，可以略去 i Rc/ e  的贡献（将其设为 1）。这个过程相当于我们忽略“位移 电流“导致的推迟效应，或者说是辐射修正。这就是说，考察点到源的距离远小