第4期 郭明海等：伪半固态触变成形制备SCp/A!电子封装材料的组织与性能 ·491· 450℃，10min+600℃，1h的烧结方式；伪半固态 为2.5℃·min-1.JR-3激光导热仪测定室温下的热 触变成形在自制的模具系统及压力机下进行，成形 导率(TC),试样尺寸中10mm×4mm.复合材料的 时坯料的温度为760℃，压强125MPa,其成形原理 密度用Archimedes排水法原理测定，抗压强度在 示意见图2.冷压坯质量不变，通过改变滤液槽的大 HS-3001B试验机上测定，试样尺寸5mm× 小，可得到不同SiC体积分数Al基电子封装材料. 15mm,抗弯强度采用三点弯曲试验在RG3000A电 子万能试验机上测定，试样尺寸2mm×4mm× 36mm. 1一SC颗粒：2一模具；3一从缝隙分离出的滤液 1一上模冲：2一阴模：3一混合粉末：4一下模冲 图2伪半固态触变成形示意图 图1单向冷压制坯示意图 Fig.2 Schematic diagram of semi-solid thixoforming Fig.I Schematic diagram of blanks by unidirectional cool pressing 采用NEOPHOT21型号光学显微镜(OM)进行 3实验结果 组织观察、LE0-1450型扫描电子显微镜(SEM)观 察SiC的分布形态及断口组织形貌，JEOL JXA8230 3.1复合材料显微组织 型能谱仪(EDS)测定材料中Si元素质量分数，再将 图3(a)为30%SiCp/Al原始坯料仅热压不过 C元素配入，计算出SiC质量分数和体积分数.选用 滤的组织.从图中可以看出，SC颗粒弥散分布在 NETZSCH DIL402P℃热膨胀仪测定室温至200℃ A1基体中，但SiC颗粒在基体中并非完全均匀分布 的热膨胀系数，试样尺寸b5mm×25mm,升温速度 且存在颗粒的团聚现象 50 50 um 图3SiCp/A复合材料光学显微组织.SiC体积分数：(a)30%:(b)40%:(c)56%:(d)63% Fig.3 Optical micrographs of SiCp/Al composites with different volume fraction SiC:(a)30%:(b)40%:(e)56%:(d)63%第 4 期 郭明海等: 伪半固态触变成形制备 SiCp/Al 电子封装材料的组织与性能 450 ℃，10 min + 600 ℃，1 h 的烧结方式; 伪半固态 触变成形在自制的模具系统及压力机下进行，成形 时坯料的温度为 760 ℃，压强 125 MPa，其成形原理 示意见图 2． 冷压坯质量不变，通过改变滤液槽的大 小，可得到不同 SiC 体积分数 Al 基电子封装材料． 1—上模冲; 2—阴模; 3—混合粉末; 4—下模冲 图 1 单向冷压制坯示意图 Fig． 1 Schematic diagram of blanks by unidirectional cool pressing 图 3 SiCp /Al 复合材料光学显微组织． SiC 体积分数: ( a) 30% ; ( b) 40% ; ( c) 56% ; ( d) 63% Fig． 3 Optical micrographs of SiCp /Al composites with different volume fraction SiC: ( a) 30% ; ( b) 40% ; ( c) 56% ; ( d) 63% 采用 NEOPHOT21 型号光学显微镜( OM) 进行 组织观察、LEO--1450 型扫描电子显微镜( SEM) 观 察 SiC 的分布形态及断口组织形貌，JEOL JXA--8230 型能谱仪( EDS) 测定材料中 Si 元素质量分数，再将 C 元素配入，计算出 SiC 质量分数和体积分数． 选用 NETZSCH DIL 402 PC 热膨胀仪测定室温至 200 ℃ 的热膨胀系数，试样尺寸 5 mm × 25 mm，升温速度 为 2. 5 ℃·min － 1 ． JＲ--3 激光导热仪测定室温下的热 导率( TC) ，试样尺寸 10 mm × 4 mm． 复合材料的 密度用 Archimedes 排水法原理测定，抗压强度在 HS--3001B 试 验 机 上 测 定，试 样 尺 寸 5 mm × 15 mm，抗弯强度采用三点弯曲试验在 ＲG3000A 电 子万能试验机上测定，试 样 尺 寸 2 mm × 4 mm × 36 mm． 1 "SiC 颗粒; 2 "模具; 3 "从缝隙分离出的滤液 图 2 伪半固态触变成形示意图 Fig． 2 Schematic diagram of semi-solid thixoforming 3 实验结果 3. 1 复合材料显微组织 图 3( a) 为 30% SiCp /Al 原始坯料仅热压不过 滤的组织． 从图中可以看出，SiC 颗粒弥散分布在 Al 基体中，但 SiC 颗粒在基体中并非完全均匀分布 且存在颗粒的团聚现象． ·491·