度。对表面和界面研究有很重要的应用价值,如吸附、催化、腐蚀、 半导体表面的钝化以及表面界面性质对半导体器件性能的影响等 同步辐射应用的另一个重要领域一同步辐射X射线光刻,有着巨 大的工业应用前景。近年来,随着光学技术的发展,光刻分辨率已经 可能达到0.2微米。但微电子学发展所需的超大规模集成电路要求光 刻的线度不仅要到亚微米,甚至深亚微米(0.1微米以下),这就需 要用波长更短的X射线进行光刻。另外,由于X射线的穿透性强,焦 深可达10微米以上,光刻图形的高宽比提高,可获得高质量的光刻 图形。为此,国际上一些发达国家,如日本、美国、法国都已建设了 批专门用于X射线光刻的电子储存环,尤以日本最多,运行的已有 7台。勿庸置疑,这些电子储存环对微电子工业的发展起着不可估量 的作用。值得提出的是该领域发明的一种微型机械和微型光电器件制 作技术LIGA,德文缩写,意即光刻、电铸制模、注模复制。X射线深 度光刻是LIGA技术的关键所在。X射线的强穿透性可刻蚀深度达几 百至1000微米以上的三维光刻胶图形,再通过电铸制模和注模复制 等工序,即可加工出尺寸在毫米量级甚至更小的金属微型器件,如微 型马达、微泵、光电耦合器、执行器、连接器等等。可以预言,它将 成为21世纪初最重要的新兴产业之一。NSRL新建成的LIGA实验站, 最近成功地利用插入件 Wiggler的辐射实现了深度达1000微米的深 度光刻,并制备出如光子晶体这类具有复杂图形的微器件,最小线宽 可到5微米,为在我国发展LIGA技术迈出了可喜的一步 我们预测,同步辐射应用研究在今后一、二十年有望在以下 几方面取得突破性进展。 (1)宏观量子现象和强关联系统物理。 (2)液态、复杂表面、软凝聚态物质等复杂体系物理。 (3)以艾滋病病毒为代表的生物大分子结构与功能关系。 (4)以结构为基础的制药工业的成熟,并得以迅速发展。 (5)以微电子机械系统为基础产品的新产业的形成。 3.同步辐射装置的发展:第三代光源 由于同步辐射具有十分广泛的用途,与之相应的新实验技术不断 出现,并进一步促进研究工作。目前,同步辐射应用正处在一个良性 循环的发展阶段。同步辐射光源亮度越来越高,光束越来越细,寿命 越来越长。在众多指标中,人们越来越追求同步辐射的高亮度。正是 这一需求极大地刺激了加速器技术的发展,使同步辐射光源从第二代7 度。对表面和界面研究有很重要的应用价值，如吸附、催化、腐蚀、 半导体表面的钝化以及表面界面性质对半导体器件性能的影响等。 同步辐射应用的另一个重要领域⎯同步辐射 X 射线光刻，有着巨 大的工业应用前景。近年来，随着光学技术的发展，光刻分辨率已经 可能达到 0.2 微米。但微电子学发展所需的超大规模集成电路要求光 刻的线度不仅要到亚微米，甚至深亚微米（0.1 微米以下），这就需 要用波长更短的 X 射线进行光刻。另外，由于 X 射线的穿透性强，焦 深可达 10 微米以上，光刻图形的高宽比提高，可获得高质量的光刻 图形。为此，国际上一些发达国家，如日本、美国、法国都已建设了 一批专门用于 X 射线光刻的电子储存环，尤以日本最多，运行的已有 7 台。勿庸置疑，这些电子储存环对微电子工业的发展起着不可估量 的作用。值得提出的是该领域发明的一种微型机械和微型光电器件制 作技术 LIGA，德文缩写，意即光刻、电铸制模、注模复制。X 射线深 度光刻是 LIGA 技术的关键所在。X 射线的强穿透性可刻蚀深度达几 百至 1000 微米以上的三维光刻胶图形，再通过电铸制模和注模复制 等工序，即可加工出尺寸在毫米量级甚至更小的金属微型器件，如微 型马达、微泵、光电耦合器、执行器、连接器等等。可以预言，它将 成为 21 世纪初最重要的新兴产业之一。NSRL 新建成的 LIGA 实验站， 最近成功地利用插入件 Wiggler 的辐射实现了深度达 1000 微米的深 度光刻，并制备出如光子晶体这类具有复杂图形的微器件，最小线宽 可到 5 微米，为在我国发展 LIGA 技术迈出了可喜的一步。 我们预测，同步辐射应用研究在今后一、二十年有望在以下 几方面取得突破性进展。 （1）宏观量子现象和强关联系统物理。 （2）液态、复杂表面、软凝聚态物质等复杂体系物理。 （3）以艾滋病病毒为代表的生物大分子结构与功能关系。 （4）以结构为基础的制药工业的成熟，并得以迅速发展。 （5）以微电子机械系统为基础产品的新产业的形成。 3．同步辐射装置的发展：第三代光源 由于同步辐射具有十分广泛的用途，与之相应的新实验技术不断 出现，并进一步促进研究工作。目前，同步辐射应用正处在一个良性 循环的发展阶段。同步辐射光源亮度越来越高，光束越来越细，寿命 越来越长。在众多指标中，人们越来越追求同步辐射的高亮度。正是 这一需求极大地刺激了加速器技术的发展，使同步辐射光源从第二代