分析:Cu2+:kk3d9 C是弱场 C的d电子采取高自旋态,即2gd2d 这样,使得在士2方向的斥力大于士x,y方向,而把士二方向拉长。 例:[N(CN)4]2 N2+:kk3d8, 而CN是强场 N2+的d电子采取低自旋态t2n6a2a g x-y 使方向斥力很大,键拉伸到极限而断裂;而在 方向 斥力小,成为正方形结构,形成[N(CN小42离子 如d4,d7,d8,d9等易发生畸变。 般,在eg上出现d电子排布不对称,易发生大畸变; 在2g上出现d电子排布不对称,易发生小畸变。分析： Cu2+:kk3d9 , Cl- 是弱场 Cu2+的d电子采取高自旋态，即 这样，使得在  z 方向的斥力大于  x,y 方向，而把  z 方向拉长。 例： [Ni(CN)4 ] 2- Ni2+:kk3d8 , 而CN-是强场 Ni2+的d电子采取低自旋态 6 2 0 2 2 2 2 g z x y t d d − 6 2 1 2 2 2 2 g z x y t d d − 使 方向斥力很大，键拉伸到极限而断裂；而在 方向 斥力小，成为正方形结构，形成[Ni(CN)4 ] 2-离子。 如 d 4 , d7 , d8 ,d9 等易发生畸变。 一般，在 上出现d电子排布不对称，易发生大畸变； 在 上出现d电子排布不对称，易发生小畸变。 g e g t 2