2.1.3氧化后期 氧化后期，氧化膜已有相当的厚度，氧的扩散路径增长，氧 化膜与基体界面变得凹凸不平(6)，使在氧化前期产生的热应力对扩散系数的影响明显 变小，可以忽略不计，氧化受扩散控制。氧化速度为 V=V。=AC_D (11) y 将(5)式代人(11)式，积分得 (AW)K (12) 式中 Kp=2DoCA* do 式（12)为单晶硅氧化扩控方程。 将本实验数据（图1a)和文献〔4)的数据（图2a)按式(7）、(10)、(12) 分别处理，得图1b一1d和图2b一2d。从图看出，两组数据均有很高的相关系数， 证明了本文对单晶硅氧化过程分析是正确的。 3.0 0.400 笔 0.300 2,0 0.200 。T=1200"C T-1150c o=1200℃Y=0.99151 0,100 T=1100'℃ 0T=1150℃Y=0.99749 ●T-1100℃ Y-0.99627 2 0,4 0.6 0,8 0.00500.01000.01500.0200 t, t,h B A 0.0 0.5 8188Y:89a 12.0 9 0.08 =0.99772 =0,89550 10 0.070.4 0 oT=1200"℃Y=0.990t 9T=1150*C.Yx0.99565- 8.0 可Teii00'℃Y=0.9533 0.06 0.3 6.0 0.05 0.04t0.2 A 9.0 2.0 0.03 0.1 0,02 0.6 1.0 0.01L 0.010.0150.020.0250.03 t,h d 图1 ·,自然对流下，4吧与曲线 A b.c.d,分别为按式（7)，(10)和(12)处理的曲线 Fig.1 a Relationship between W/A and t under natural convection at different temperature b.o,d Oxidation kinetics curves attained according to equation (7),(10);(12) 110氧化后期 氧化后期 ， 氧化膜已 有相当的厚度 ， 氧的扩散路径 增 长 ， 氧 化膜与基体界面 变得凹 凸不 平比 〕 ， 使在氧化前期产生 的 热应力对扩散系数的影 响 明 显 变小 ， 可 以忽略不 计 ， 氧化受扩散控制 。 氧化速度为 创 。 二 ‘ 、 七 将 式代 入 式 △ ， 积分得－ 式 中 。 △ 式 为单 晶硅 氧化扩控 方程 。 将本实验数据 图 和 文献 〔 〕 分别处理 ， 得图 一 和 图 一 ‘ 的数 据 图 按式 、 、 从 图看出 ， 两组数据均 有很高的相关 系 数 ， 证 明 了本文对单晶硅 氧化过程分析是正 确的 。 。︵︸，。篇。 斗︸ 叫 少 ’才 五少令介 一 门门 … 尸，盯 ， 邝 二 ℃ 宁卜 石。 ’ 二 ℃ 万 之 月 ‘芝龟之。﹄ 豁 ， 之 试弄叉 尹 一 丫价砂砂 。汤尸产一成弓二 刁 护， 外、毒之瞥 农二 岁 】 件之 。 甘，日 河 叉 ，丫二 ， ， 券 丫 厂笋 ‘ … 、备。日 ‘，， 宕叼乍艺甲比川。︵ 、‘工片叫 ， 图 。 。 自然对流下 ， 名 ‘ ， ， ‘ 七 。 △ 。 ‘ 这 ， 、 一 习 引 十日 琴勺 、 人 ， 、 。 分别为按式 和 处理的曲线 △ ， 吸 ， ， 尸 了