1.6 100℃ 0 1100℃ 3.0 1.4 1050℃ 1.2 .0Ix P 20 oT=1100CY=0.999803 1.0 bT1050℃Y-0.999293 .0 0.8 1050℃ 01 0 0.20.40.60.81.01.2 0.6 t,h 0.4 0.1 0.13 0.160.190.22 t,h 10.0 ⊙T1100CY0.99856 1.0 100℃ ·T1050CY=0.99889 8.0 0.8 00 1050 降 6.0 20182 0.6 4-0Tx2P 0.4 4,0 pT=1100℃Y0.99932 ●T=1050"CY=0.99778 0.2 2.0 0 0 0.030.060.090.12 0 t,h 0:150.350.550.750.951.151.35 t,h. d 图2，a,文献(4)中的等温氧化曲线(Po=10Pa) c,b。d,分别为用文献(4们中的数据经式 (7),(10)和(12)处理后的曲线 Fig.2a Oxidation kinetics curve at a certain temperature from ref.4 b,c,d--Oxidation kinet- ics curves attained according to equstion (7),(10),(12)(The data from ref.4) 2.2氧化膜的形貌观察及结构标定 2.2.1形貌观察 经扫描电镜和透射电镜观察，发现氧化初期氧化膜呈雪花状 结晶，见图3。 根据对不同氧化时间的单晶硅氧化膜的观察，认为其氧化膜生长的机理是，首先在 活性中心吸附氧，氧与硅发生化学反应生核影·而后按雪花状结晶生长，在同一雪花结晶 中有不同取向的晶粒。当不同的雪花相遇到一起时，产生明显的晶界。相遇后雪花的二 维面积不再增大，而膜厚将不断增加，最后在氧化膜表面已观察不到雪花状结晶。 2.2.2氧化膜结构的标定 用约化胞法对氧化膜的衍射斑点进行了标定，证明 了单晶硅生长的氧化膜为不同结构的二氧化硅，.见图4、5。 111卜 妹 一尸 副多一 尸 返 。 二 二 节 口二 与 ℃ 二 ， 笋必， 补产 ’ 衬。曰、 同 曰 ，，。 。 、 二 。 。 。 一 乞犷了， 才 了 ， 丫 屯苔头胃 上一习 ’ · 二 ’ ’ 黔 丫二 习 洒 ，心八臼‘ 哎沪勺﹄工界 图 一 。 文献 中的等温氧化曲线 。 ‘ 。 分别 为用文献〔 川 的数据经式 ， 和 处理后的曲线 。 。 ， ， 一 ， 已 ， ， ，。 。 氧化膜的 形貌观 察及结构 标定 形貌观 察 经 扫描电镜和 透射电镜观察 ， 发现氧化初 期氧化 膜呈雪 花 状 结晶 ， 见 图 。 根据 对不 同氧化时 间的单 晶硅 氧化 膜的观察 ， 认 为其氧化 膜生 长的机理是 首先在 活性 中心 吸附氧 ， 氧与硅发生化学反 应生核 而 后按雪 花状结 晶生 长 ， 在 同一雪花结 晶 中有不 同取 向的 晶粒 。 当不 同的雪花相遇到一起 时 ， 产生 明显 的 晶界 。 相遇 后雪 花的 二 维面积不 再增 大 ， 而 膜 厚将不 断增加 ， 最后在 氧化 膜表面 已 观察不 到 雪 花状结 晶 。 氧化膜结 构 的标 定 用 约化胞法对氧化膜的衍射斑 点进行 了标 定 ， 证 明 了单晶硅生长的氧化 膜为不 同结构的二氧化硅 ， 见图 、 。 飞飞