可用电擦除、可编程的E2PROM 浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide):浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳 米以下)，称为隧道区。当隧道区电场大于10VIcm时 隧道区双向导通。 Ge D G 当隧道区的等效电容 极小时，加在控制栅和 N+ N+ 漏极间的电压大部分降 在隧道区，有擦除和写入均利 区导通。 用隧道效应 隧道区 oV +5V +20V W. W. B 10ms Bi 读入 擦除 写入浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide)：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳 米以下），称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时 隧道区双向导通。 当隧道区的等效电容 极小时，加在控制栅和 漏极间的电压大部分降 在隧道区，有利于隧道 区导通。 擦除和写入均利 用隧道效应 10ms 可用电擦除、可编程的E 2PROM