第五章存储器原理与接口 ■存储器分类 ■存储器结构 8086CPU最小模式下总线产生 ■存储器接口
第五章 存储器原理与接口 存储器分类 存储器结构 8086CPU最小模式下总线产生 存储器接口
5.1存储器分类 一、 有关存储器几种分类 > 存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 》 光电存储器
5.1 存储器分类 一、有关存储器几种分类 存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器
按存取方式分类 随机存储器RAM(Random Access Memory) 只读存储器ROM(Read-Only Memory) 串行访问存储器(Serial Access Storage)
按存取方式分类 随机存储器RAM (Random Access Memory) 只读存储器ROM（Read-Only Memory） 串行访问存储器(Serial Access Storage)
>按在计算机中的作用分类 主存储器（内存） 辅助存储器（外存） 高速缓冲存储器 》
按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM 2、只读存储器ROM
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM 2、只读存储器ROM
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a.静态RAM (ECL,TTL, MOS b.动态RAM
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a. 静态RAM （ECL，TTL，MOS） b. 动态RAM
Vcc 字线 2、只读存储器ROM 烙丝 a.掩膜式ROM b.可编程的PR0M C. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d.可用电擦除、可编程的E2PROM等
2、只读存储器ROM a. 掩膜式ROM b. 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d. 可用电擦除、可编程的E 2PROM等
可用紫外线擦除、可编程的EPROM 浮置栅 D SiO2 D P+ Vcc N 位线输 行线 绝缘层 》 浮栅管 浮动栅雪崩注入式 位线 MOS管
D S Vcc 位 线 输 出 位线 浮栅管 行线 绝缘层 浮动栅雪崩注入式 MOS管 可用紫外线擦除、可编程的EPROM
编程 使栅极带电 擦除 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所 有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄 放掉，使浮栅恢复初态 一般照射20~30分钟后，读出各单元的内 容均为FFH,说明EPROM中内容已被擦除
编程 使栅极带电 擦除 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所 有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄 放掉，使浮栅恢复初态。 一般照射20～30分钟后，读出各单元的内 容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除
可用电擦除、可编程的E2PROM 浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide):浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳 米以下)，称为隧道区。当隧道区电场大于10VIcm时 隧道区双向导通。 Ge D G 当隧道区的等效电容 极小时，加在控制栅和 N+ N+ 漏极间的电压大部分降 在隧道区，有擦除和写入均利 区导通。 用隧道效应 隧道区 oV +5V +20V W. W. B 10ms Bi 读入 擦除 写入
浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide)：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳 米以下），称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时 隧道区双向导通。 当隧道区的等效电容 极小时，加在控制栅和 漏极间的电压大部分降 在隧道区，有利于隧道 区导通。 擦除和写入均利 用隧道效应 10ms 可用电擦除、可编程的E 2PROM