当今世界已进人信息化时代这是人类历史上又次工业革命,人们开始认识到除了物质能 懋资源以外更要的是有效地幸捏信息资源,信息化时代的主姿特裎之·是信良处理存储传输 的主要工其一电子计算机的广泛用电子计算机的菩及是建立在集成电路技术的速发 的基础上的。较早的电子计算机是1945年发明的从继电器计算机发而来約真空音电了计算机 由于其真成本和低可靠性无法得到普反,计算机的大量玩用只是在集成电路技术的发展之后才成 为可能 电子计算机发明后不久,948年发了作为最早的園体电子器件的:极品体管。最初是用 作为制走固体电子器件的半导体材料,然面请的禁替宽度较窄(,.6V),用话制的甚件只能 作在9以下的湿度在更真的温度F储器件中将产生显著的漏电电流。比禁带宽变较窄更严重 的问题是箭不能提供稳定的表面纯化层。例如f=O2溶于水并且在80C就会分解,与诸形成对 比的繁芾宽度为1.12V,丙此用制造的菇件可以在育至20C的温度范医内工作。另个更 大的优点是表面容易形成结构离度稳定的SO钝化层,可以作为集成电路器件的保护层,这 优点被屹用于壇立集成电路的基本造工艺使得能够在复杂图形中的蕉窆区域进行杂,从面在 硅片上制造止各种器件结构硅的另个突齣优点是其临界切呻力较太,旦选位错状念后 在生长过程中不容出现位错,员此是少数能到位错单品的材料之,而无他错单品是副造图 体电了器件的基本要求北外,从环陵保护的角度看硅的个优点是其完全没有毒性,面H的原 材料们美(S(}杓成了大约肌的應壳载分,其原料给得充分的保证。当然症片不是在等 方數都表现出优点,如硅的电了移半不如化合物半导体GAs高,因此在减少寄生效晓和 改养频丰响应方不如GNs等化合物半导体至看要胸缺点足硅的能带结构是非直接结构 不能真接用剩造光电器件 行材料的以上基本优点决定了它前是荒目在可以预见的将米仍将是成电路的基磁材 料,随石集成电跷的集成度翘大模化方向的迅速发矮,对硅材料质揉的要求也越炭越高,这就 对材料的生产和研究不断提出了新的要求,同时人们也越未越深剔地认块成电路的制造工 艺和器作的性能写所用約硅材科的特性质丝蜜切相关,要提集成电路的成晶半必须易虑到这 失素这些都娶求我们于硅材料的墓本性质、产工艺中的关键技以及所涉及的各种论何题 有深人的了解和认识 于材料科学和技本在上述需求的基动下正在莲发展,有关材料的基车性豆约新认 识生产工艺和莠试分析方法的新介组只佳在各种朋刊中才能找到;又由于硅材料料学是 近三四十年中发起米的新兴的交叉学科,涉及到半导体物產晶体结构、品体生长,品体缺陷,各 种运(热溶质1理论流体力学物升化学化学等多门学科,所涉及的些论问题的讨论分 蔻在很多用利著作中,H往往不具有针对性,因此,追切需要专订合绍硫材料科学的著作,反映硅 科取新究的成果,包析生产工艺和测试分析方法中的关壁技术以及这些关键技术所涉及的基 本理论问题基于这样的考虑本书既介绍了其体的产[艺和测试分析方法的概要以其中的关 键技本问题又对十这些关键技木所荐及的理论作了较深人的讨论既有较成器的假已公认 的结论构叙述,又有最新的发展探常件的观点的介组;既他人的[作的总结,包含了作者多