21电阻型传感器 应变式 2)半导体应变电阻的工作原理 半导体的压阻系数远高于金属导体,由沿一定的晶轴方向切割出的半导体材 料所构成的电阻,具有明显的压阻效应 半导体的电阻率:P= 其中载流子数N平均迁移率m在电阻内部产生应力后发生很大变化 因此,半导体应变电阻的灵敏度系数K值常为金属导体应变电阻的的 5070倍,通常可达1502L0 由于<在不同晶轴方向取值不同,因此其大小与受力后产生的应力方 向有关,直随应变大小呈非线性变亻 此外,半导体应变电阻的特性易受温度影 般K的温度系数约为 (0.001~0.00 金属导体的灵敏度系数K。则是受温度影响很小 的常数)。而且具有较大的分散性使用时必须进行标定 由以上推演的结果 R=K07=可见应变电阻传感器 IR 实现了将应变量口电阻变化量2.1 电阻型传感器 应变式 ２）半导体应变电阻的工作原理： 半导体的压阻系数远高于金属导体，由沿一定的晶轴方向切割出的半导体材 料所构成的电阻，具有明显的压阻效应． 半导体的电阻率： 其中载流子数 平均迁移率 在电阻内部产生应力后发生很大变化。 因此，半导体应变电阻的灵敏度系数Kp值常为金属导体应变电阻的的 50~70倍，通常可达150~210。 由于Kp在不同晶轴方向取值不同，因此其大小与受力后产生的应力方 向有关，且随应变大小呈非线性变化。 此外，半导体应变电阻的特性易受温度影响，一般Kp的温度系数约为 （0.001~0.004）/℃。（金属导体的灵敏度系数K０则是受温度影响很小 的常数）。而且具有较大的分散性,使用时必须进行标定. 由以上推演的结果 可见,应变电阻传感器 实现了将应变量 电阻变化量 i ar eN   1 = Ni μar x ε l dl K R dR = 0 =