上泽京大 因上汗汽是 PN结的应用 NMOS型场效应三极管 电流整流器 赞性 离 a)内=O:源极与漏极间，由于NPN结的作用无电流适过. 电至光转换 将9蕊·赞都的界问形统电子富黄层电子凭面。 出() 面爱光 T鳗道（电子道） 502地蜂度 光至电转换 隆 光伏太阳能电池 ED题明 trate ©上洋克丝大多 圈上泽文大￥ PMOS型场效应三极管 场效应晶体管工作原理 赞性 2.由于空孔的动速度于电子故动作度比NMOS慢，应用胶心. 电子迁移率=1350cm2N5,空迁移率=480c㎡2N5 由板() 工数增（空乳量道） S0,随膜 酬出康() 出(Vd) 率格-5督兼 橱的作用类似与水闸的闸门 N-SI 三载(Vb) 因上汗美大华 因上泽道大多 CMOS型晶体管一并联式MOS型场效应管 CMOS型晶体管一并联式MOS型场效应管 CMOS:Complemetary Metal-Oxide Semiconductor 将PMOS和NMOS做在同一集成电路上就形成了互补型金属氧化 a 物半导体技术，也就是CMOS技术 PMOS 现为 b)当给入电压高时，NMOS导进， 主要特点为功耗低，是集成电路中被广泛采用的基本回路 PMO5不号通，给出电压为低0V, 表现为0。 出 出电压 COs的入的出前性 Polycide gate and local 54321 NMOS 12345轴入电压 CMOS Inverter 1010 电至光 转换 电发光原理：正负电在半导 体P-N节处相遇，产生光子 而发光 光至电 转换 光伏太阳能电池 LED照明 光发电原理：光子照射到P￾N节，产生电流，产生电力 PN结的应用 电流整流器 偏置隔离 NMOS型场效应三极管 特 性 a) Vg = 0：源极与漏极间，由于NPN结的作用无电流通过。 b) Vg > 0：且较高时，栅极与P-Si的界面间形成电子富集层（电子隧道）， 源极与漏 极连通，电流通过。 引出漏极（Vd） drain P-Si 多晶体-Si栅极 SiO2 绝缘膜 引出栅极（Vg） gate N-Si 源极 N-Si 漏极 基极（Vsub） substrate 引出源极（Vs） source N型隧道（电子隧道） Vg Vs Vsub Vd 特 性 1. 与NMOS动作相反，当Vg ＜ 0 ，且绝对值较大时，栅极与N-Si的界面间形成 空孔富集层（空孔隧道），源极与漏极连通，电流才能通过。 2. 由于空孔的移动速度低于电子，故动作速度比NMOS慢，应用较少。 电子迁移率=1350cm2/V·S， 空孔迁移率= 480cm2/V·S Vg Vs Vsub Vd 引出漏极（Vd） drain N-Si 多晶体-Si栅极 SiO2 绝缘膜 引出栅极（Vg） gate P-Si 源极 P-Si 漏极 基极（Vsub） substrate 引出源极（Vs） source P型隧道（空孔隧道） PMOS型场效应三极管 栅 的 作 用 类 似 与 水 闸 的 闸 门 场效应晶体管工作原理 CMOS：Complemetary Metal-Oxide Semiconductor CMOS型晶体管—幵联式MOS型场效应管 5V Vs 输 出 输 入 PMOS Vs NMOS 1 2 3 4 5 3 2 4 5 1 CMOS的输入输出特性 输入电压 输 出 电 压 a) 当输入电压低时，NMOS不导通， PMOS导通，输出电压为高5V，表 现为[1]。 b) 当输入电压高时， NMOS导通， PMOS不导通，输出电压为低0V， 表现为[0]。  将PMOS和NMOS做在同一集成电路上就形成了互补型金属氧化 物半导体技术，也就是CMOS技术  主要特点为功耗低，是集成电路中被广泛采用的基本回路 CMOS型晶体管—幵联式MOS型场效应管 Metal 1, AlCu P-Epi P-Wafer P N-Well -Well PMD p + p + n + n + W Metal 1 P-well Polycide gate and local interconnection STI N-well CMOS Inverter