图上泽充通大学 圈上汗入4大￥ ●4o1uaL料t CMOS应用例2：乘法逻辑电路 芯片制造中的主要技术 CMOS 1.薄膜技术 Y=A·B 2.光刻技术 3.互连技术 轴入 ABY 4.氧化与掺杂技术 NMOS 000 100 010 111 因上洋气大多 圈上汗大当 1.薄膜技术 1.薄膜技术 IC中的薄膜 1C中的薄膜 Nitride 纯化层2 ·外延Si 。介质膜：场氧化、栅氧化膜、USG、BpSG、 PDI PSG、层间介质膜、钝化膜、highk、lowk、浅 反射层 槽隔离.…… IMD or 。金属膜：ALTi、Cu、Wu、Ta Met,A-C ILD2 ·多晶硅 WCVD PSG ·金属硅化物 USG P-well N-well TN P-wafer CVD 上汗天道大华 ©上泽汽大学 1.薄膜技术 2.光刻技术 各种成膜技术及材料 是高精密图形转移的有效方法 PVD法→嘉发法 氧化膜、金属颗等 。光刻 藏射法 贤限. 。光荆的盖本过度 LP-CVD 对准和事光 CVD法 AP-CVD Ssi0,稿、氢化痕。有机 ·光学基随 CVD法 ·光刘设备 P-CVD 有机税、SiO限 等高子CD 非晶5si颗 ·光学增婴拉术 HDP-CVD ·对准 ◆s0,氧化痕 热氧化法 +Si0, 。先进光技术 。刻性 电沉积 ◆Cu膜、Ni限、Au膜等 ·刘做工艺 CVD:Ch CVD CVD 一干法和湿法刘做的应用 R.CVD:High Densty CVD 1111 CMOS应用例2：乘法逡辑电路 输出 输入 B Y A Y B A A B Y 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 Y = A · B PMOS NMOS CMOS CMOS 芯片制造中的主要技术 1. 薄膜技术 2. 光刻技术 3. 互连技术 4. 氧化与掺杂技术 IC中的薄膜 Oxide Nitride W USG P-wafer P N-well -well BPSG n+ n+ USG p+ p+ W Metal 2, Al•Cu P-epi Metal 1, Al•Cu Al•Cu STI 浅槽隔离 金属前介 质层 or 层 间介质层1 IMD or ILD2 抗反射层 PD1 钝化层2 Sidewall spacer WCVD TiN CVD 1. 薄膜技术  外延Si  介质膜：场氧化、栅氧化膜、USG、BPSG、 PSG、层间介质膜、钝化膜、high k、low k、浅 槽隔离……  金属膜：Al、Ti 、Cu、Wu、Ta……  多晶硅  金属硅化物 IC中的薄膜 1. 薄膜技术 各种成膜技术及材料 热氧化法 蒸发法 LP-CVD 热CVD法 CVD法 PVD法 SiO2膜 等离子CVD 溅射法 AP-CVD P-CVD HDP-CVD W膜、高温氧化膜 多结晶Si膜、Si3N4膜 有机膜、SiO2膜 非晶态Si膜 SiO2膜、氮化膜、有机 膜 SiO2氧化膜 氧化膜、金属膜等 Al膜、Cu膜、Ti膜、 TiN膜、W膜 CVD ： Chemical Vapor Deposition AP-CVD ：Atmospheric Pressure CVD PVD ： Physical Vapor Deposition P-CVD ：Plasma CVD LP-CVD ：Low Pressure CVD HDP-CVD ：High Density Plasma CVD 电沉积 Cu膜、Ni膜、Au膜等 1. 薄膜技术 2. 光刻技术 是高精密图形转移的有效方法  光刻 – 光刻的基本过程 – 对准和曝光  光学基础  光刻设备  光学增强技术  对准 – 先进光刻技术  刻蚀 – 刻蚀工艺 – 干法和湿法刻蚀的应用