回上汗充大名 因上汗汽大淫 2.光刻技术 2.光刻技术 通过光刻技术进行图形转移的基本过程 是微电子制造的关键技术：最复杂、昂贵 之 ©上洋汽丝大辛 圈上汗入无￥ 2.光刻技术 3.互连技术 占总工艺费用的30%，总工艺时间的40~50% 铜互连 Ti/TiN CoSi Ta or TaN ·光刻机：产量为其成本的6倍才有利 Cu 润：Intel ●掩模版：$1 million ·光刻区洁净度要求最高、灯光昏黄 FSG 采用黄光的光刺室 USG P.Well N-Well P.Epi 昂贵的光刘机 电子束光树凯 P.Wafer 圈上汗衣美大华 因上泽道大多 3.互连技术 3.互连技术 多层互连：层间介质层隔离去除后的形貌 为什么要多层互连 ICell size with 1 ayer metal 减小芯片尺寸1 1212 通过光刻技术进行图形转移的基本过程 2. 光刻技术 2. 光刻技术 是微电子制造的关键技术：最复杂、昂贵 2. 光刻技术 电子束光刻机 采用黄光的光刻室 昂贵的光刻机  光刻机: 产量为其成本的6倍才有利 润：Intel  掩膜版：$1million  光刻区洁净度要求最高、灯光昏黄 占总工艺费用的30％，总工艺时间的40 ～50% 铜互连 P-Epi P-Wafer N-Well P-Well n + STI p + p + USG PSG W W FSG n + M1 Cu CoSi Ti/TiN SiN 2 Ta or TaN Cu Cu FSG 3. 互连技术 多层互连：层间介质层隔离去除后的形貌 3. 互连技术 为什么要多层互连 Cell size with 1 layer metal 减小芯片尺寸！ 3. 互连技术