@上泽充道大￥ 因上泽通大学 3.互连技术 4.掺杂技术 铜互连基本工艺 用途 双熊嵌工艺：同时形成互连线和通孔填充 ◆捉高硅的导电性 ◆在硅中加入必要元素的过程一掺杂 M2 ◆掺杂区：掺杂物通过硅片上的掩模窗口进入硅的品体结构区 IMD2 ◆离子注入的施模通常是光刻胶，也可以是其他 ◆掺杂区的类型可以和硅片不同也可以类型相同，浓度不同 ◆掺杂方法：热扩散、离子注入 ©上洋汽丝大辛 圈上汗汽大￥ 4.掺杂技术 本章小结 掺杂方法与种类 半导体类型擦杂元素化合物源 状态（常温下） >发展历程与莫尔定律 Sb Sb-01 成逐 As.03 因姿 >晶体管基本结构与作用 N型 As AsH 气逐 热封教法 PoCl 清鉴 >芯片制造的主要技术 ⊙ PH 气态 BBr, 清盗 B.He 气李 P型 BCI 气姿 N 战奏 子注入法 将气化的挫杂元素离子化，并通过加速器获得离速度，打向硅片， 实现特杂。特点：操杂层薄，浓变和厚度易拉制。但需要热处理 因上汗家大多 因上泽汽美大学 电子封装技术 微电子材料与产业 Microelectronics Packaging Technology 李明 IC芯片 显封树胞 材料科学与工程学院 第一部分微电子产业 >第二部分芯片制造 金丝线 金属引线框架 一第三部分电子封装 集成电路IC封装体QP内部构造 1313 铜互连基本工艺 3. 互连技术 双镶嵌工艺：同时形成互连线和通孔填充 N-Well P-Well P+ P+ N+ N+ IMD 1 Liner IMD2 M2 M1 V1  提高硅的导电性  在硅中加入必要元素的过程——掺杂  掺杂区：掺杂物通过硅片上的掩模窗口进入硅的晶体结构区  离子注入的掩模通常是光刻胶，也可以是其他  掺杂区的类型可以和硅片不同也可以类型相同，浓度不同  掺杂方法：热扩散、离子注入 4. 掺杂技术 用途 4. 掺杂技术 热扩散法 离子注入法 半导体类型 掺杂元素 化合物源 状态（常温下） N型 Sb Sb2O3 固态 As As2O3 固态 AsH3 气态 P POCl3 液态 PH3 气态 P型 B BBr3 液态 B2H6 气态 BCl3 气态 BN 固态 将气化的掺杂元素离子化，并通过加速器获得高速度，打向硅片， 实现掺杂。特点：掺杂层薄，浓度和厚度易控制，但需要热处理 掺杂方法与种类 本章小结 发展历程与莫尔定律 晶体管基本结构与作用 芯片制造的主要技术 微电子材料与产业 李 明 材料科学与工程学院 第一部分 微电子产业 第二部分 芯片制造 第三部分 电子封装 电子封装技术 Microelectronics Packaging Technology 塑封树脂 金属引线框架 IC芯片 金丝线 集成电路IC封装体QFP内部构造