(a) 2000(b) 2000 v—Ca,Si,F0, -Ca Si,F,O. 1600 1500 1000 800 500 0 1020 4050 60 7080 90 10 20 40 50 60 8090 20() 20() 800(c) 1400 -Ca Si,F,O, (d) Ca Si,F,O. 1200 600 1000 (n'e)S 400 60 200 400 200 0 10 20 30 4050 60 7080 % 30 4 708090 20(9 208 ■8A1~A4保护渣的XRD图：(a)Al0=2%AO 4%,(c)Al0=6%,(dAl0=8% Fig.98 XRD of mold fluxes:(a)Al2O;=2%:(b)A1O:=4%:(c)Al2O:=6%:(d)Al2O;=8% A1~A4渣的扫描电镜图及能谱分析果如图910及表2所示。由背散射结果分析可知 渣中只有一种析出相，结合能谱分析中的元素组成可以确认该析出相为枪晶石，这与XD 测试结果相符合。但在A4渣的“3号”区域，除上述四种元素外，还另外发现了 Na、Mg、A1(三种元素质量的和为15%)，通过对比A4渣的不同放大倍数背散射照片发 现，3号点处并未出现与其他部纷相似的“细长型”枪晶石晶体，并且整个视场中枪晶石 数量明显减少，这说明渣中，O的增加会抑制枪晶石形成。此外，通过背散射观察发现， 录用 随着渣中A1O,的增如出枪晶石的尺寸有明显增加的趋势。10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 400 800 1200 1600 2000 ss s s s s s s s s Intensity (a.u.) 2θ (º) s Ca4 Si2 F s 2O7 (a) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 500 1000 1500 2000 (b) s Ca4 Si2 F2O7 s s s s s ss Intensity (a.u.) 2θ(º) s 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 200 400 600 800 (c) 2θ(º) s Ca4 Si2 F2O7 s s s s s s s s s s In s tensity (a.u.) s 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 (d) s Ca4 Si2 F2O7 s s s s s s s s s Intensity (a.u.) 2θ(º) 图 98 A1~A4 保护渣的 XRD 图：(a) Al2O3=2%; (b) Al2O3=4%; (c) Al2O3=6%; (d) Al2O3=8% Fig. 98 XRD of mold fluxes: ：(a) Al2O3=2%; (b) Al2O3=4%; (c) Al2O3=6%; (d) Al2O3=8% A1~A4 渣的扫描电镜图及能谱分析结果如图 910 及表 2 所示。由背散射结果分析可知 渣中只有一种析出相，结合能谱分析中的元素组成可以确认该析出相为枪晶石，这与 XRD 测试结果相符合。但在 A4 渣的“3 号”区域，除上述四种元素外，还另外发现了 Na、Mg、Al（三种元素质量的和为 15 %），通过对比 A4 渣的不同放大倍数背散射照片发 现， 3 号点处并未出现与其他部分相似的“细长型”枪晶石晶体，并且整个视场中枪晶石 数量明显减少，这说明渣中 Al2O3的增加会抑制枪晶石形成。此外，通过背散射观察发现， 随着渣中 Al2O3的增加，析出枪晶石的尺寸有明显增加的趋势。 ( ( ( ( ( 录用稿件，非最终出版稿