杂质势→弛豫时间 电离杂质附近的电子势能可表示成()= 4兀EEr *Z=有效电荷,指数因子是电荷屏蔽作用 °由量子力学波恩近似方法,可得散射微分截面 2m Ze d(9)=(4x(k2+2) K=k-k=2kF sin *是散射角 以v速度入射至电离杂质,在单位时间内被散 射的电子数 vo19dQ2 比较散射矩阵元后可得 k,.)=a hmp:/10.107.0.68/~ jochen其他输运现象http://10.107.0.68/~jgche/ 其他输运现象 6 杂质势弛豫时间 • 电离杂质附近的电子势能可表示成 * Z=有效电荷，指数因子是电荷屏蔽作用 • 由量子力学波恩近似方法，可得散射微分截面 * θ是散射角 • 以v速度入射至电离杂质，在单位时间内被散 射的电子数 • 比较散射矩阵元后可得 r e r Ze U r      0 2 4 ( )    2 2 2 2 0 * 2 1 4 2         K m Ze 2 ' 2 F sin  K  k k  k v  d VN       V v k k    , ', 