研究生课程教学大纲 (2)新型栅结构器件(2学时) (3)新型沟道结构器件(1学时) (4)无结M0S晶体管(1学时) 2本章教学要求：通过本章课程的学习，要求学生掌握S0 I MOSFET性能分析、FinFET 工作原理，理解应变的硅产生及对器件性能的影响。 3本章教学重点：SOI MOSFET的阈值电压与亚阈值斜率。 4本章教学难点：无结MOSFET的阈值电压模型。 三、教学方式 课程采取多媒体与板书相结合的方式授课，讲解与讨论相融合的教学方式。 四、考核方式与成绩评定 课程考核方式为考试，采取堂上开卷笔试的方式。 作业：作业根据课程进度情况分批布置，每章不少于一次。课堂作业同时可用于统计出 勤情况。 成绩评定的考核比例为： (1)过程考核占20%，包括： 考勤：5%，课堂互动：5%，平时作业：10%。 (2)期末考核占80%。 五、教材及主要参考书目 教材： [1]《纳米CMOS器件》，甘学温，黄如，刘晓彦，张兴著，科学出版社，2004年 参考书目： [l)《Advance Theory of Semiconductor Devices》,Karl Hess,IEEE Press,I999年。 [2]《集成电路设计》，叶以正，来逢昌，清华大学出版社，2016年。 [3)《模拟电路版图的艺术》，Alan Hastings,电子工业出版社，2013年。 [4《微电子器件》，陈星弼、陈勇、刘继芝、任敏，电子工业出版社，2018年。 4研究生课程教学大纲 4 (2) 新型栅结构器件（2 学时） (3) 新型沟道结构器件（1 学时） (4) 无结 MOS 晶体管（1 学时） 2 本章教学要求：通过本章课程的学习，要求学生掌握 SOI MOSFET 性能分析、FinFET 工作原理，理解应变的硅产生及对器件性能的影响。 3 本章教学重点：SOI MOSFET 的阈值电压与亚阈值斜率。 4 本章教学难点：无结 MOSFET 的阈值电压模型。 三、教学方式 课程采取多媒体与板书相结合的方式授课，讲解与讨论相融合的教学方式。 四、考核方式与成绩评定 课程考核方式为考试，采取堂上开卷笔试的方式。 作业：作业根据课程进度情况分批布置，每章不少于一次。课堂作业同时可用于统计出 勤情况。 成绩评定的考核比例为： （1）过程考核占 20%，包括： 考勤：5%，课堂互动：5%，平时作业：10%。 （2）期末考核占 80%。 五、教材及主要参考书目 教材： [1]《纳米 CMOS 器件》，甘学温，黄如，刘晓彦，张兴著，科学出版社，2004 年 参考书目： [1]《Advance Theory of Semiconductor Devices》，Karl Hess ，IEEE Press, 1999 年。 [2]《集成电路设计》，叶以正，来逢昌，清华大学出版社，2016 年。 [3]《模拟电路版图的艺术》，Alan Hastings，电子工业出版社，2013 年。 [4]《微电子器件》，陈星弼、陈勇、刘继芝、任敏，电子工业出版社，2018 年