RAM的工作时序(以写入过程为例) WC ADD 止 写入单元的地址 S R/W WP WR vO 写入数据 DW 读出操作过程如下: (1)欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端; (2)加入有效的选片信号CS; (3)将待写入的数据加到数据输入端 (3)在“丝上加低电平,进入写工作状态 (4)让选片信号CS无效,ⅣO端呈高阻态。二. RAM的工作时序（以写入过程为例） 读出操作过程如下： （1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； （2）加入有效的选片信号CS； （3）将待写入的数据加到数据输入端。 （3）在 线上加低电平，进入写工作状态； （4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。 t W C ADD 写入单元的地址 t W P CS R/W I/O 写入数据 AS t W R t DW t DH t