2019年年度报告 是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质 的即为正性胶 离子注入 指离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下 来,并最终停留在固体材料中 技术节点 指泛指在集成电路制造过程中的“特征尺寸”,尺寸越小,表明工艺 水平越高,如130nm、90m、28mm、14mm、7mm等 Finfet 指「 Fin field-effect transistor,鳍式场效应晶体管,一种互补式 金氧半导体晶体管 赛迪产业研究院指中国电子信息产业发展研究院,是直属于国家工业和信息化部的一 类科研事业单位 指光刻机与涂胶显影机联机作业,即在涂胶显影机中完成光刻胶涂覆 工序后由涂胶显影机自动传输晶圆至光刻机,光刻机完成曝光工序 后,自动传回至涂胶显影机进行显影工序 Spin scrubber设指单晶圆清洗设备,目前主流技术为用二流体喷嘴方式进行去除晶圆 表面颗粒的清洗设备 base line设备指标杆产品或设备,即客户为满足具体工艺技术规格所采用的指定品 牌和型号的设备,一般来说,也是各产线上的主力设备 特色工艺 指集成电路芯片制造过程中的创新工艺和特色工艺,包含BCD(双极 oMoS-DM0S)、功率器件、射频器件、传感器、嵌入式存储等工艺 化合物半导体 指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确 定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。化合物半导体相比较单晶 硅锗衬底材料具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电 子密度、高迁移率等特点,可实现高压、高温、高频、高抗辐射能 力,其在5G,高频,高功率等方面的应用在不断扩展 前道 指集成电路芯片制造的前道工序,是把衬底材料(目前集成电路主要 是硅衬底)加工成包含成千上万个芯片的工艺过程,指的是从制造 器件结构到进行金属互联,一直到最后的表面钝化的过程 后道 指把前道工艺制造完成的晶圆,根据封装要求(先进封装或者传统封 装)形成最终形态芯片的工序过程 Fanout、扇出式指基于晶圆重构技术,将芯片重新埋置到晶圆上,然后按照与标准WP 工艺类似的步骤进行封装,得到的实际封装面积要大于芯片面积 在面积扩展的同时也可以增加其它有源器件及无源元件形成siP 02重大专项 指「《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目,因次序排在国家 重大专项所列16个重大专项的第2位,在行业内被称为“02重大 专项” 指涂胶/显影机,又称涂布/显影机、匀胶/显影机 I-line 指一种以紫外光(汞灯)为光源、光波长为365mm、应用技术节点为 0.350.25um的光刻工艺 KrF 指一种以深紫外(DWV)为光源、光波长为248m、应用技术节点为 0.250.13um的光刻工艺 ArF 指一种以深紫外(DUV)为光源、光波长为193mm、应用技术节点为 0.13m7nm的光刻工艺 7/2262019 年年度报告 7 / 226 是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质 的即为正性胶 离子注入 指 离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下 来，并最终停留在固体材料中 技术节点 指 泛指在集成电路制造过程中的“特征尺寸”，尺寸越小，表明工艺 水平越高，如 130nm、90nm、28nm、14nm、7nm 等 FinFET 指 Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管，一种互补式 金氧半导体晶体管 赛迪产业研究院 指 中国电子信息产业发展研究院，是直属于国家工业和信息化部的一 类科研事业单位 Inline 指 光刻机与涂胶显影机联机作业，即在涂胶显影机中完成光刻胶涂覆 工序后由涂胶显影机自动传输晶圆至光刻机，光刻机完成曝光工序 后，自动传回至涂胶显影机进行显影工序 Spin Scrubber 设 备 指 单晶圆清洗设备，目前主流技术为用二流体喷嘴方式进行去除晶圆 表面颗粒的清洗设备 base line 设备 指 标杆产品或设备，即客户为满足具体工艺技术规格所采用的指定品 牌和型号的设备，一般来说，也是各产线上的主力设备 特色工艺 指 集成电路芯片制造过程中的创新工艺和特色工艺，包含 BCD(双极 CMOS-DMOS)、功率器件、射频器件、传感器、嵌入式存储等工艺 化合物半导体 指 由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确 定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。化合物半导体相比较单晶 硅锗衬底材料具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电 子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、高抗辐射能 力，其在 5G，高频，高功率等方面的应用在不断扩展 前道 指 集成电路芯片制造的前道工序，是把衬底材料（目前集成电路主要 是硅衬底）加工成包含成千上万个芯片的工艺过程，指的是从制造 器件结构到进行金属互联，一直到最后的表面钝化的过程 后道 指 把前道工艺制造完成的晶圆，根据封装要求（先进封装或者传统封 装）形成最终形态芯片的工序过程 Fanout、扇出式 指 基于晶圆重构技术，将芯片重新埋置到晶圆上，然后按照与标准 WLP 工艺类似的步骤进行封装，得到的实际封装面积要大于芯片面积， 在面积扩展的同时也可以增加其它有源器件及无源元件形成 SiP 02 重大专项 指 《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目，因次序排在国家 重大专项所列 16 个重大专项的第 2 位，在行业内被称为“02 重大 专项” Track 指 涂胶/显影机，又称涂布/显影机、匀胶/显影机 I-line 指 一种以紫外光（汞灯）为光源、光波长为 365nm、应用技术节点为 0.35~0.25μ m 的光刻工艺 KrF 指 一种以深紫外（DUV）为光源、光波长为 248nm、应用技术节点为 0.25~0.13μ m 的光刻工艺 ArF 指 一种以深紫外（DUV）为光源、光波长为 193nm、应用技术节点为 0.13μ m~7nm 的光刻工艺