·80· 北京科技大学学报 第36卷 700 600l 40 30 回复组织 45h 能量keV 200nm 亚晶 回复组织 位错网格 500 nm 500nm 再结晶核 500 nm 图7一次Y内部的位错组态及再结晶情况.(a)变形及空冷组织：(b)Y相典型成分：()，()，(e)退火组织 Fig.7 Dislocation microstructures and reerystallization in primary y:(a)microstructure under deformation and air coolin condition:(b)chemical composition of yphase:(c),(d),(e)microstructure under annealing conditions 再结晶已经较完全的情况下，一次Y中仍然具有较 位错缠结的状态：(3)某些孪晶通过与Y/y界面相 高的位错密度：(2)γ相周围低位错密度的再结晶 互作用后，能在γ相内部产生位错密度基本为零的 晶粒能够促进y相内部的回复过程，显示出y/y相 舌状再结晶核心. 间位错密度差对于该过程的重要影响.图7()中 γ相的回复与再结晶行为受到自身结构的限 这一特征最为明显，其中标号为A的一次y相颗粒制.作为一种山型有序相，y相自身位错的柏氏矢 在与周围的四个再结晶晶粒接壤的部分产生了三个量是一般无序结构的2倍，因此其全位错常分解为 发生明显多边形化与亚晶形成的区域，而在这些区 超点阵部分位错和面缺陷（通常为反向畴界）的结 域之间及与另一个Y相颗粒B相邻的部分则保持着 合，即超位错；而超位错的交滑移和攀移比无序北 京 科 技 大 学 学 报 第 36 卷 图 7 一次 γ'内部的位错组态及再结晶情况． ( a) 变形及空冷组织; ( b) γ'相典型成分; ( c) ，( d) ，( e) 退火组织 Fig． 7 Dislocation microstructures and recrystallization in primary γ': ( a) microstructure under deformation and air cooling condition; ( b) chemical composition of γ' phase; ( c) ，( d) ，( e) microstructure under annealing conditions 再结晶已经较完全的情况下，一次 γ'中仍然具有较 高的位错密度; ( 2) γ'相周围低位错密度的再结晶 晶粒能够促进 γ'相内部的回复过程，显示出 γ /γ'相 间位错密度差对于该过程的重要影响． 图 7( c) 中 这一特征最为明显，其中标号为 A 的一次 γ'相颗粒 在与周围的四个再结晶晶粒接壤的部分产生了三个 发生明显多边形化与亚晶形成的区域，而在这些区 域之间及与另一个 γ＇相颗粒 B 相邻的部分则保持着 位错缠结的状态; ( 3) 某些孪晶通过与 γ /γ'界面相 互作用后，能在 γ'相内部产生位错密度基本为零的 舌状再结晶核心． γ'相的回复与再结晶行为受到自身结构的限 制． 作为一种 LI2型有序相，γ'相自身位错的柏氏矢 量是一般无序结构的 2 倍，因此其全位错常分解为 超点阵部分位错和面缺陷( 通常为反向畴界) 的结 合，即超位错［13］; 而超位错的交滑移和攀移比无序 ·80·